外延法

作品数：94被引量：158H指数：7
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日本东京大学首次通过分子束外延法实现了在硅上生长砷化镓量子点激光器有助于推动下一代计算的发展
《半导体信息》2018年第3期24-25,共2页
来自日本东京大学的研究团队声称首次实现了在硅衬底砷化镓（GaAs）量子点（QD）激光器中电泵激1．3μm砷化铟（InAs）的材料生长工艺，该砷化镓衬底是利用分子束外延技术（MBE）直接生长在同轴（001）硅衬底上的。
关键词：量子点激光器 日本东京大学 砷化镓衬底 生长工艺 分子束外延法 硅衬底 分子束外延技术 计算 
美国研究者推出具有p型掩埋层电流阻断的垂直氮化镓晶体管
《半导体信息》2015年第5期17-18,共2页科信 
加利福利亚圣芭芭拉大学和亚利桑那州立大学近期研制出一种氮化镓电流孔径垂直电子晶体管(CAVET),该产品拥有p型掩埋层,能产生反向偏置pn结。CAVET将二维电子气和垂直结构相结合,在铝镓氮/氮化镓界面处的二维电子气能提供较高的导电性能...
关键词：氮化镓 垂直结构 二维电子气 加利福利亚 电场分布 芭芭拉 导通电阻 击穿电压 分子束外延法 近表面 
新型孤子半导体激光器被引量：3
《半导体信息》2008年第3期36-36,共1页江兴 
关键词：半导体激光器 VCSEL 孤子激光器 面发射 照射点 谐振腔 激光脉冲 渐变折射率 谐振频率 分子束外延法 
用分子束外延法生长InGaN激光二极管
《半导体信息》2006年第1期24-24,共1页刘广荣 
关键词：分子束外延法 INGAN 激光二极管 波兰华沙 阈值电流 高压物理 器件参数 紫光 沉积方法 沉积法 
用分子束外延法生长蓝光二极管
《半导体信息》2004年第5期19-19,共1页江兴 
据报道,夏普欧洲实验室科学家已用分子束外延生长世界首只蓝紫激光二极管。器件生长在蓝宝石基底上,是屋脊形波导InGaN多量子阱激光器,室温运转,输出波长为400nm。此有机金属汽相外延系统专为生长GaN器件设计。其主要优点是源材料消耗...
关键词：分子束外延法 脊形波导 输出波长 激光二极管 汽相外延 阈值电流 多量子阱 分子束外延生长 掺杂物 有机金属 
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