云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 外延炉

外延炉: 作品数：31被引量：28H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信经济管理更多>>; 相关作者：张玉明郭辉张克基赵艳黎李明达更多>>; 相关机构：季华实验室西安电子科技大学瀚天天成电子科技(厦门)有限公司江苏艾匹克半导体设备有限公司更多>>; 相关期刊：《半导体技术》《半导体信息》《电子工业专用设备》《机电工程技术》更多>>; 相关基金：天津市自然科学基金天津市科技计划国家高技术研究发展计划电科院预研基金更多>>

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200 mm SiC外延炉及同质外延工艺研究: 《电子工业专用设备》2024年第4期11-16,29,共7页谢添乐李苹杨宇巩小亮巴赛陈国钦万胜强; 湖南省科技重大专项十大技术攻关项目“8英寸SiC外延装备关键技术”(2023GK1020)。; 目前SiC产业正由150 mm(6英寸)向200 mm(8英寸)转型,为满足行业对大尺寸、高质量SiC同质外延片的迫切需求,采用自主研制的200 mmSiC外延生长设备在国产衬底上成功制备出150 mm、200 mm 4H-SiC同质外延片,并开发了适用于150 mm及200 mm...; 关键词：碳化硅 200 mm外延炉化学气相沉积同质外延

SiC外延炉模块化集成制造技术探索与研究: 《电子工业专用设备》2023年第5期11-14,40,共5页谢于柳何远湘陈庆广; SiC外延炉是半导体行业中的一项重要设备,其主要作用是在衬底上生长出高品质、大面积、无杂质的SiC外延薄膜。简要介绍了SiC外延炉模块化集成制造技术,并通过实施模块化集成制造技术方案,解决了设备生产周期长的问题,有效地降低了制造...; 关键词：碳化硅外延外延炉模块化集成制造技术

高温外延炉气体压力控制系统的实现被引量：2: 《电子工业专用设备》2022年第5期1-4,31,共5页毛朝斌高桑田盛飞龙仇礼钦王鑫; 季华实验室自主重大项目(X210241TC210)。; 针对碳化硅外延工艺过程中压力控制范围大、控制精度高的要求,以及受到温度、气流变化大的影响,介绍了一种用于碳化硅高温外延工艺的高温外延炉腔内压力控制系统。通过分析碳化硅外延炉压力控制系统,提出了模糊自适应PID控制算法。在国...; 关键词：碳化硅高速外延压力控制比例积分微分

基于BP神经网络的SiC外延炉加热电源动态匹配智能算法研究: 《电子工业专用设备》2017年第6期17-21,共5页张威; 智能控制算法已普遍应用于各个领域,但是在SiC外延炉中却极少用到。将目前使用最为广泛的BP神经网络模型引入到SiC外延炉加热系统中,对SiC外延炉加热电源匹配电感量进行预测,结合基于变步长搜索最大电流值的方法对频率进行自动跟踪,实现...; 关键词：BP神经网络 SiC外延加热电源智能算法动态匹配

SiC外延炉加热系统的设计被引量：5: 《电子工业专用设备》2017年第1期4-7,34,共5页陈特超林伯奇龙长林肖慧胡凡程文静丁杰钦杨一鸣龚杰洪; 国家高新技术发展计划(863计划)资助项目(2014AA041401); 碳化硅材料是一种宽禁带半导体材料,其耐高温、耐高压的特性特别适合制作大功率半导体器件。近几年来,随着SiC器件生产工艺技术的突破,碳化硅器件得到了快速的发展,其相关设备也在不断开发并走向成熟。简要介绍了SiC外延生长设备中加热...; 关键词：碳化硅外延生长加热器线圈温度曲线

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