微波集成电路

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美国Custom MMIC公司推出低噪声放大器具有优异的宽带噪声系数性能
《半导体信息》2018年第4期18-18,共1页
美国Custom MMIC公司是单片微波集成电路（MMIC）的开发商，近日提供了一种新的GaAs低噪声放大器（LNA）MMIC，其宽带噪声系数性能优异，一度只能通过分立场效应晶体管设计实现。
关键词：CUSTOM 低噪声放大器 MIC公司 噪声系数 性能优异 美国 宽带 单片微波集成电路 
全国首条砷化镓微波芯片产线明年初投产 拟投资10亿
《半导体信息》2018年第4期39-39,共1页
据北京商报报道，北京双仪微电子科技有限公司拟投资10亿元在北京市亦庄经济技术开发区建造目前全国唯一具备规模化量产能力的先进工艺技术生产线。进行砷化镓微波集成电路（GaAs MMIC）芯片的代工服务，该项目预计于2019年初投产使用...
关键词：微波集成电路 砷化镓 投资 投产 芯片 经济技术开发区 北京市 电子科技 
美高森美推出新系列宽带塑封和裸片GaAs MMIC器件从DC至27 GHz提供高性能表现
《半导体信息》2017年第4期18-19,共2页
美高森美公司（Microsemi）推出新系列宽带塑封和单片微波集成电路（MMIC）器件。新产品扩充了不断增长的高性能宽带MMIC产品组合，
关键词：IC器件 GaAs 宽带 塑封 新系 性能 GHZ 单片微波集成电路 
ADI推出2-50 GHz分布式功率放大器
《半导体信息》2015年第4期12-12,共1页郑畅 
Analog Devices，Inc．，全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，近日推出HMC1127和HMC1126MMIC（单芯片微波集成电路）分布式功率放大器。这些新型功率放大器裸片涵盖2-50GHz的频率范围，
关键词：功率放大器 分布式 ADI DEVICES 微波集成电路 信号处理 频率范围 INC 
Cree启动全新项目,研发30W Ku波段碳化硅上氮化镓单片微波集成电路用高功率放大器
《半导体信息》2015年第3期19-19,共1页科发 
美国Cree公司启动全新项目,致力研究可实现的最高功率Ku波段单片微波集成电路。Cree公司称,该30W Ku波段碳化硅上氮化镓单片微波集成电路两级高功率放大器可覆盖13.5-14.75GHz商用卫星通讯波段,相较现在广泛使用的行波管或砷化镓解决方...
关键词：W KU波段 CREE 高功率放大器 氮化镓 行波管 通讯产业 平均输出功率 极电压 砷化镓 法兰 
美国诺格推出新型砷化镓微波集成电路部件
《半导体信息》2013年第4期3-3,共1页郑畅 
据中国国防科技信息网报道,美国诺格公司研发出新的砷化镓(GaAs)E波段单片微波集成电路(MMIC)高功率放大器APH667和APH668,工作频率分别为81~86 GHz和71~76 GHz。诺格公司在2004年成为第一家提供E波段半导体器件产品的公司。诺格宇航系...
关键词：微波集成电路 砷化镓 高功率放大器 半导体器件 科技信息网 微电子产品 宇航系统 中国国防 输出功率 
科锐开发出两项新型GaN RF MMIC工艺技术
《半导体信息》2012年第5期15-17,共3页吴琪乐 
科锐公司宣布推出两项新型GaN工艺:0.25微米、漏极电压最高为40V的G40V4和0.4微米、漏极电压最高为50V的G50V3。新的工艺技术增加了工作电压和无线射频功率密度,与传统技术相比,能够实现更小尺寸裸芯片和更紧凑、更高效率放大器。两项...
关键词：工艺技术 射频功率 极电压 微波集成电路 单片式 裸芯片 场效应晶体管 功率附加效率 器件特性 电路元件 
科锐推出新型S波段GaN晶体管器件被引量：1
《半导体信息》2012年第4期5-6,共2页江兴 
全新60 W GaN HEMT Psat晶体管帮助降低军用和民用雷达系统,对于高功率放大器尺寸、重量以及散热的要求。科锐公司宣布推出可适用于军用和商用S波段雷达中的高效GaN HEMT晶体管。新型S波段GaN HEMT晶体管的额定功率为60 W,频率为3.1至3....
关键词：S波段GaN 功率密度 MESFET 高功率放大器 雷达系统 漏极 微波集成电路 单片式 信号保真度 脉冲功率 
美国陆军投资GaN放大器制造计划
《半导体信息》2008年第4期20-21,共2页孙再吉 
关键词：美国陆军 GAN 科罗拉多大学 行波管 DARPA 雷达应用 生成技术 功率密度 工程公司 微波集成电路 
瑞萨科技高性能硅锗单片微波集成电路
《半导体信息》2006年第5期20-20,共1页刘广荣 
关键词：瑞萨科技 无线局域网标准 放大器电路 表面贴装 无铅封装 输出功率 双模 SIGE 切换电路 
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