离子注入工艺

作品数：44被引量：21H指数：3
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源极跟随器离子注入工艺对RTS噪声影响分析
《光电子》2024年第2期19-24,共6页王玮 
随机电报信号(Random Telegraph Signal, RTS)噪声是影响CMOS图像传感器图像质量的主要因素之一。伴随着集成电路制造工艺技术的高速发展,源极跟随器(Source Follower, SF)晶体管栅极尺寸不断缩小,使得对RTS噪声影响也愈发增大。文章研...
关键词：随机电报信号噪声 源极跟随器 离子注入工艺 工艺优化 
不同离子注入工艺对45CrMoVE结构钢性能影响研究
《装备环境工程》2024年第2期73-80,共8页李奎 彭文雅 李钢 赵宇 王影 
目的通过分析不同元素离子注入对结构钢耐腐蚀能力及力学性能的影响,筛选出最佳注入元素,以改善45CrMoVE结构钢的表面组成,提高其耐腐蚀性能。方法基于前期研究工艺,开展Mo、Co、Ta、Ti等离子注入技术研究。将注入离子后的结构钢试样放...
关键词：45CrMoVE结构钢 离子注入 腐蚀电位 耐腐蚀性 界面组织 力学性能 
AlGaN-GaN和GaN上的低能Si离子注入工艺
《电子技术（上海）》2023年第1期14-15,共2页高军 郑晨扬 朱宇峰 
阐述GaN注入掺杂的激活退火一直受到GaN高温分解现象的制约,高温退火的目的是恢复注入造成的晶格损伤,激活注入的原子替代晶格原子。由于在注入过程中提高衬底温度已被证明可有效减少晶格损伤并有助于提高其他半导体材料的激活效率,探...
关键词：离子注入 高温退火 实验仿真 
离子注入型硅掺砷阻挡杂质带长波红外探测器的研究被引量：3
《红外与毫米波学报》2020年第3期290-294,共5页王超 李宁 戴宁 石旺舟 胡古今 
国家自然科学基金(11933006,61805060,61290304,10904158,10990103);国家重点基础研究发展计划项目(2013CB632802,2011CB922004)。
研究了基于离子注入技术制备硅掺砷阻挡杂质带探测器的工艺,通过优化工艺条件和相关器件的结构与材料参数,制造了具有良好光电响应性能的长波红外探测器。在温度5 K,-3.8 V工作偏压下,探测器的峰值响应波长为23.8μm,黑体响应率为3.7 A/...
关键词：阻挡杂质带 长波红外探测器 硅掺砷 离子注入工艺 
基于Silvaco软件的离子注入工艺仿真分析与研究
《Annual Report of China Institute of Atomic Energy》2018年第1期148-149,188-190,共5页厉文聪 郝晓勇 何高魁 
科技部重大仪器开发项目全自动高纯锗能谱仪系统的开发项目资助(2017YFF0106500).
在探测X、γ射线时,高纯锗探测器能同时具有稳定性强、探测效率高、能量分辨率好等一系列优点,综合性能远强于其他γ探测器。利用Silvaco Tcad软件的工艺仿真工具Athena,对锗半导体材料进行了硼离子注入工艺仿真,探索注入剂量和角度对...
关键词：Silvaco 离子注入工艺 沟道效应 分析与研究 
离子注入工艺中等离子喷淋技术
《科技创新与应用》2015年第21期91-91,共1页裴雷洪 
阐述等离子喷淋技术的工作原理,在离子注入工艺上的应用;分析等离子喷淋器对注入工艺中的电荷累积以及注入均匀性改善。并提出在先进制程下对等离子喷淋技术的要求。
关键词：离子注入 等离子喷淋 电荷累积 注入均匀性 
硅探测器加工中的离子注入工艺设计与控制被引量：1
《微纳电子技术》2012年第12期824-828,共5页唐海林 罗剑波 张莉 谭刚 
应用离子注入工艺可制备获得线性电流大、窗口死层薄的硅pin辐射探测器。首先简要介绍了离子注入工艺形成pn结的原理,重点根据技术要求进行了离子注入工艺设计和计算,分别得到了注入能量为40 keV和注入剂量为4×1014/cm2的两个重要控制...
关键词：离子注入 硅pin辐射探测器 PN结 注入能量 注入剂量 死层 
离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用被引量：1
《半导体技术》2008年第S1期252-255,共4页李春 陈刚 
介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω.cm2;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B+注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子...
关键词：离子注入 4H碳化硅 欧姆接触 肖特基势垒二极管 隔离技术 
离子注入机失效检测新方法
《集成电路应用》2007年第9期49-49,共1页Alexander E.Braun 
随着器件线宽和层厚的缩小，离子注入计量设备对硅片上杂质分布均匀性进行直接监测的能力已经开始受到限制。同时，特征尺寸的缩小和参数性能的要求，使关键注入参数的工艺窗口不断变窄，而离子束电流和硅片尺寸却在不断增大。这样一来...
关键词：离子注入机 失效检测 分布均匀性 离子注入工艺 直接监测 特征尺寸 计量设备 参数性能 
等离子淋浴在离子注入工艺中的应用被引量：1
《微纳电子技术》2006年第9期447-450,共4页彭立波 易文杰 刘仁杰 
阐述了等离子淋浴技术的工作原理和特点。介绍了在离子注入工艺中采用等离子淋浴来中和晶片表面的电荷积累,可将晶片表面的电荷积累电压控制在安全范围;应用等离子淋浴实现低能离子束的电中性传输,可提高低能离子束的传输效率和束通道...
关键词：离子注入 等离子淋浴 电荷中和 传输效率 
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