列阵半导体激光器

作品数：18被引量：14H指数：2
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相关机构：长春光学精密机械学院吉林大学长春理工大学东北大学更多>>
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采用双折射晶体实现大功率半导体列阵激光器偏振复合被引量：2
《光电子．激光》2008年第12期1576-1579,共4页韩淋 刘媛媛 王翠鸾 吴芃 冯小明 王晓薇 刘素平 马骁宇 
国家自然科学基金资助项目(60576041)
根据大功率半导体列阵激光器输出光束的偏振特性,基于偏振复用的原理,利用双折射晶体YVO4进行两只大功率半导体列阵激光器的偏振合束研究。利用按照理论计算值生长的双折射晶体和特殊设计的光路系统实现功率复用效率66%,经过耦合镜聚焦...
关键词：双折射晶体 YVO4 列阵半导体激光器 偏振复合 
列阵半导体激光端面抽运Nd∶YVO_4绿光激光器的研究被引量：2
《中国激光》2004年第4期395-398,共4页王登顺 李港 陈檬 宋海平 
北京市教委科技发展基金 (编号 :30 2 10 0 1)资助项目
报道了采用列阵半导体激光端面抽运Nd∶YVO4晶体的KTP腔内倍频绿光激光器。采用多柱透镜法 ,对列阵半导体激光进行了有效整形 ,并利用谐振腔折叠产生的像散 ,实现了抽运光与振荡光较好的模式匹配 ;由于是直接耦合抽运 ,因此保证了半导...
关键词：激光技术 列阵半导体激光器 端面抽运 ND:YVO4晶体 
半导体激光器
《中国光学》2003年第5期22-24,共3页
TN248.4 2003053365激光二极管相对于铯饱和吸收D2线的无调制扰动三次谐波锁频=Third-harmonic locking of a diode laser to cesiumsaturation absorption D2 line without frequency dither[刊,中]/刘涛（山西...
关键词：列阵半导体激光器 三次谐波 国家重点实验室 饱和吸收稳频 量子光学 垂直腔面发射激光器 频率调制 量子器件 声光调制器 调制转移光谱 
940nm无铝双量子阱列阵半导体激光器被引量：2
《中国激光》2002年第12期1061-1063,共3页万春明 王慧 曲轶 
分析了影响列阵半导体激光器极限输出功率的因素。利用MOCVD研制了无铝双量子阱列阵半导体激光器。无铝列阵激光器的峰值波长为 940 2nm ,半峰宽为 2nm ,连续输出功率为 10W ,斜率效率为 1 0 9W A。
关键词：量子阱 半导体激光器 列阵 
半导体激光器
《中国光学》2002年第5期28-30,共3页
TN248.4 2002053402用于全光波长转换的外腔半导体激光器的注入电流选择=Selection of injection current of the external cavitylaser diodes for all-optical wavelength conversion[刊,中]/马军山,耿健新,瞿荣辉,陈高庭,方祖捷(中...
关键词：光栅外腔半导体激光器 列阵半导体激光器 输出功率 注入电流 计算机与通信 波长调谐范围 全光波长转换 剩余反射率 光电子 脊形波导激光器 
GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器
《吉林工业大学自然科学学报》2001年第4期63-65,共3页万春明 徐安怀 曲轶 
分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出ＧａＡＩＡＳ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱材料（ＣＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率可达１０ Ｗ，...
关键词：半导体激光器 分子束外延生长 量子阱 输出功率 梯度折射率 GAALAS GaAs 砷化镓 镓铝砷 
980 nm高功率列阵半导体激光器被引量：1
《光电子技术与信息》2001年第6期28-30,共3页曲轶 高欣 薄报学 张兴德 石家纬 
吉林省科技发展计划资助项目
分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素．利用分子束外延生长方法生长出ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱激光器材料．利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续（１００ Ｈｚ，１００ μｓ）输出功率达到 ８０Ｗ（室...
关键词：高功率列阵 半导体激光器 分子束外延 
PC全固态激光器及各类新型激光器
《激光与光电子学进展》2001年第A09期64-67,共4页
关键词：全固态激光器 列阵半导体激光器 氧碘激光器 反射镜 YAG激光器 射频放电 激光晶体 相变物质 小信号增益 激光放电管 
列阵半导体激光抽运高频YAG激光器
《激光与光电子学进展》2001年第9期65-65,共1页梁柱 宁国斌 金光勇 闫晓媛 任重 
在国家863的资助下,我们研制成功一种线列阵半导体激光抽运YAG激光器,其设计方案是用双管侧面垂直抽运,激光晶体棒为Φ3×50 mm,线列阵管发光长度40 mm,通过光学设计实现了单模抽运技术,不用特殊的选模措施,激光输出即是低阶横模,激光...
关键词：列阵半导体激光器 抽运 YAG激光器 
GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器
《中国激光》2000年第12期1072-1074,共3页曲轶 高欣 张宝顺 薄报学 张兴德 石家纬 
分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长法生长出 Ga Al As/Ga As梯度折射率分别限制单量子阱材料 ( GRIN- SCH- SQW)。利用该材料制作出的列阵半导体激光器输出功率达到 10 W(室温 ,连续 ) ,峰值波长为 80 6～ 80
关键词：分子束外延 量子阱列阵 半导体激光器 GAALAS 
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