门极

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PI公司宣布旗下适用于SiC MOSFET的SCALE-iDriver现已通过AEC-Q100汽车级认证
《半导体信息》2020年第2期4-5,共2页
美国加利福尼亚州圣何塞,2020年3月17日–深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations近日宣布,其适合碳化硅(SiC)MOSFET的高效率单通道门极驱动器SIC118xKQ SCALE-iDriverTM现已通过AEC-Q100汽车级认证。...
关键词:门极驱动 保护特性 MOSFET 加利福尼亚州 高压逆变器 AEC 认证 
安森美推出全新的中压N沟道MOSFET阵容
《半导体信息》2015年第3期4-5,共2页郑畅 
安森美半导体(ON Semiconductor)针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列,进一步扩大其宽广的产品阵容。这些器件能提供低得令人难以置信的导通电阻RDS(on)值,从而将导通损耗降至最低并提升整体工作能效水平...
关键词:安森美半导体 N沟道MOSFET 导通电阻 产品阵容 击穿电压 导通损耗 皮法 门极 数据网络 令人 
东芝量产为基站和服务器推出的30V电压功率MOSFET
《半导体信息》2013年第4期7-7,共1页赵佶 
东芝公司(Corporation)专用于基站和服务器的通用DC-DC转换器的30V电压功率MOSFET系列产品采用了最新的第八代低压沟槽结构,实现了最高级别的低导通电阻和高速转换。该系列产品已于6月底投入量产。
关键词:低导通电阻 系列产品 八代 东芝公司 门极 
MFS489xNF:N沟道功率MOSFET
《半导体信息》2010年第6期28-28,共1页章从福 
关键词:降压转换器 开关损耗 极电压 门极 肖特基二极管 开关操作 负载点 个人计算机 笔记本电脑 安森美 
英飞凌推出新一代MOSFET节能器件
《半导体信息》2007年第2期17-18,共2页刘广荣 
关键词:英飞凌 导通电阻 直流变换器 产品家族 功率密度 门极 电源系统 功率半导体 标准电源 笔记本电池 
新型功率器件IGCT
《半导体信息》2006年第6期28-28,共1页刘广荣 
关键词:IGCT 晶闸管 三电平逆变器 门极 通态 开关性能 中压开关 反向二极管 兆瓦级 驱动电路 
安森美半导体拓展功率MOSFET产品系列推出18款新计算器件
《半导体信息》2006年第5期35-35,共1页希雷 
关键词:安森美半导体 开关损耗 门极 电源效率 临界电流 笔记本电脑 预算单价 特定应用 副总裁 
飞利浦与IMEC成功开发出65nm CMOS技术的器件
《半导体信息》2004年第3期34-34,共1页刘广荣 
飞利浦和微米及纳米电子研究中心IMEC日前共同宣布,成功制造出具有良好电气性能的65nm CMOS器件。这种65nm技术基于平面90nm bulk CMOS技术缩小版。
关键词:nm CMOS技术 IMEC 缩小版 纳米电子 研究中心 门极 电气性能 氧化层厚度 结深 副总裁 
半导体材料将出现新变化
《半导体信息》2003年第2期41-41,共1页盛柏桢 
据《中国电子报》报道,铜和低 K 介电互联材料的引入表明,改变材料是很困难的。在前不久举行的 VLSI 技术研讨会上,技术专家积极准备面对材料的挑战,范围从新的门极氧化物到 SOI 及延展硅隧道。专家表示,今后至少有4到5个转变。高 K 门...
关键词:半导体材料 绝缘体上硅 电流驱动能力 门极 金属门 中国电子报 首席技术官 电路设计 TAIWAN 
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