晶格匹配

作品数：84被引量：138H指数：5
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锗氮共掺碳化硅晶体杂质浓度表征及其电学性质研究被引量：1
《无机材料学报》2018年第5期535-539,共5页李天 陈秀芳 杨祥龙 谢雪健 张福生 肖龙飞 王荣堃 徐现刚 胡小波 王瑞琪 于芃 
国家重点研发计划(2016YFB0400401);装备预研教育部联合基金(青年人才)(6141A0232);国家自然科学基金(51502156;61327808;61504075);国家电网公司科技项目(SGSDDK00KJJS1600071);国家重点基础研究发展计划(973计划)(2013CB632801)~~
采用物理气相传输(PVT)法生长了2英寸(1英寸=25.4 mm)锗氮(Ge-N)共掺和单一Ge掺杂碳化硅晶体材料,并制备成10 mm′10 mm的SiC晶片。利用半导体工艺技术在不同衬底的碳面上制备钛(Ti)/铂(Pt)/金(Au)多层金属电极。使用二次离子质谱仪(SI...
关键词：物理气相传输法 Ge掺杂 晶格匹配 欧姆接触 迁移率 
InP衬底上晶格匹配四元系InAlGaAs的气态源分子束外延生长(英文)
《红外与毫米波学报》2012年第5期385-388,398,共5页王凯 顾溢 方祥 周立 李成 李好斯白音 张永刚 
Supported by National Basic Research Program of China(2012CB619202);Founding of Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors,Chinese Academy of Sciences and Innovative Founding of Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences
采用高分辨率X射线衍射摇摆曲线、光致发光以及霍尔测试对采用气态源分子束外延方法生长的四元系In-AlGaAs材料性质进行了表征。摇摆曲线结果表明,根据计算数据所生长的InAlGaAs样品与InP衬底基本匹配.光致发光和霍尔测试结果显示随着A...
关键词：化合物半导体 分子束外延 InAlGaAs X射线衍射 光致发光 
稀土铝钛硼中间合金的细化能力与长效性被引量：37
《中国有色金属学报》2007年第8期1232-1239,共8页陈亚军 许庆彦 黄天佑 
国家重点基础研究发展规划资助项目(2005CB724105)
采用铝热反应法制备Al5Ti1B和Al5Ti4RE1B中间合金,并对其进行物相、微观组织和细化效果分析;对比中间合金中第二相的晶体结构以及形核能力,并从第二相分解和沉淀的角度分析Al5Ti1B1RE的细化长效性。结果表明:Al5Ti4RE1B比Al5Ti1B具有更...
关键词：稀土铝钛硼中间合金 物相分析 晶格匹配 细化效果 长效性 
InN材料及其应用被引量：7
《微纳电子技术》2004年第12期26-32,共7页谢自力 张荣 毕朝霞 刘斌 修向前 顾书林 江若琏 韩平 朱顺明 沈波 施毅 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划资助项目(G2000068305);国家高技术研究发展规划项目(2001AA3111102003AA311060);国家自然科学基金项目(699760146980600669987001);国家杰出青年基金项目(60025411);江苏省自然科学基金重点项目资助(BK2003203)
由于具有独特的本征特性,InN材料已经成为最近两年国际上最热门的研究材料之一。本文介绍了InN材料的基本性质,探讨了材料的生长技术和应用方向。最后给出了InN材料今后发展急需解决的问题以及未来的发展应用前景。
关键词：INN 带隙 半导体材料 晶格常数 晶格匹配 
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