晶体管技术

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相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>
相关作者:张建华李俊赵彤周岳亮王焕华更多>>
相关机构:上海大学英特尔公司复旦大学中国科学院更多>>
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国外正在关注这些集成电路新技术
《半导体信息》2019年第1期16-20,共5页
2018年12月,在美国旧金山或华盛顿哥伦比亚特区的召开的IEEE国际电子元件会议(International Electron Devices Meeting,缩写:IEDM)刚刚结束。在每一界的IEDM上,全球工业界与学界的管理者、工程师和科学家将会聚集在一起讨论纳米级CMOS...
关键词:亚阈值摆幅 GAA 晶体管技术 
意法半导体(ST)新的MOSFET晶体管技术/封装解决方案 重新定义功率能效
《半导体信息》2016年第3期3-3,共1页
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体最新的MDmeshTMDM2N-通道功率MOSFET为低压电源设计人员提高计算机、电信网络、工业、消费电子产品的能效创造新的机会。
关键词:功率MOSFET 意法半导体 能效 晶体管 定义 封装 技术 半导体供应商 
计算机晶体管技术酝酿变革
《半导体信息》2009年第5期2-3,共2页刘广荣 
关键词:计算机 纳米 处理器 英特尔公司 半导体三极管 晶体管 
瑞萨开发出用于45nm器件的新的高性能晶体管技术
《半导体信息》2007年第6期14-14,共1页陈裕权 
关键词:NM 电流驱动能力 性能比 阈值电压 金属栅 硅栅 栅长 电源电压 半导体型 半导体制造 
美国正在研究砷化铟镓晶体管技术
《半导体信息》2007年第1期15-16,共2页刘广荣 
关键词:砷化铟 阿拉莫 半导体材料 硅晶体 电气工程 纳米硅 量子阱 电流量 计算机科学 电子工程师 
英特尔开发三闸晶体管技术
《半导体信息》2006年第5期27-28,共2页章从福 
关键词:隔离电路 摩尔定律 副总裁 漏电现象 线宽 交通警察 十年 
韩国三星电子开发3维晶体管技术
《半导体信息》2005年第1期16-16,共1页孙再吉 
据《日经微器件》2004年第9期报道,韩国三星电子近日开发了用于50 nm以下存储器的新型半导体器件。该技术是3维晶体管技术的"多层沟道晶体管技术"、"突起型晶体管技术"。这些技术可采用复数沟道,是晶体管的立体化技术。目前。
关键词:韩国三星电子 半导体器件 日经 微器件 电流量 流通面积 圆片 迭层 
英特尔开发出新晶体管技术
《半导体信息》2003年第6期24-24,共1页章从福 
2003年11月5日,英特尔宣布已发现一种新型的、可以取代30多年来芯片制造业一直使用的制造材料。利用这种新型材料,英特尔研究人员已经开发出创记录的高性能晶体管。这种新材料被称为高K。英特尔说,新的高K材料在减少漏电的能力上将比二...
关键词:芯片制造商 漏电现象 芯片制造业 
英特尔发布3D晶体管技术
《半导体信息》2003年第1期29-29,共1页江兴 
三闸晶体管是英特尔公司开发的一种试验性的电路,可能成为英特尔继续遵循摩尔定律制作更小更快芯片的一项重要技术。英特尔公司日前在日本名古屋召开的国际固态设备和材料会议上发表技术论文,介绍了有关三闸晶体管的详细技术细节。三闸...
关键词:摩尔定律 技术论文 三维物体 技术细节 日本名古屋 
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