多量子阱激光器

作品数：42被引量：47H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：陈良惠贾华宇李灯熬彭宇恒刘式墉更多>>
相关机构：中国科学院太原理工大学吉林大学中国科学院大学更多>>
相关期刊：《电子学报》《红外与激光工程》《光子学报》《Science Bulletin》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划山西省自然科学基金铁道部科技基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 主题=半导体激光x
共 条 记 录，以下是1-8
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
980nm多量子阱激光器有源层的优化分析被引量：2
《科技创新与应用》2016年第6期24-25,共2页叶磊 张殿尧 李晓东 杨渝川 张天 
980nm波长量子阱激光器常用的有源层材料体系为InGaAs/AlGaAs体系。理论计算与仿真结果表明当有源层量子阱的个数为三个并且垒层材料的铝组分为0.12时,能够获得较低的阈值电流。
关键词：有源层结构 980nm 多量子阱 半导体激光器 
2μm半导体激光器有源区量子阱数的优化设计被引量：2
《红外与激光工程》2015年第7期1969-1974,共6页安宁 刘国军 李占国 李辉 席文星 魏志鹏 马晓辉 
国家自然科学基金(61006039;61370043)
利用LASTIP软件理论分析了有源区量子阱数目对不同组分的In Ga As Sb/Al Ga As Sb 2μm半导体激光器能带、电子与空穴浓度分布以及辐射复合率等性能参数的影响。研究表明：量子阱的个数是影响激光器件性能的关键参数,需要综合分析和优...
关键词：多量子阱激光器 有源区量子阱数目 数值模拟 
光注入MQW半导体激光器分岔及其动力学稳定性
《Journal of Semiconductors》2006年第5期910-915,共6页颜森林 
研究外部光注入多量子阱激光器四维系统动力学行为及其分岔,数值模拟了外部光注入光强度、频差以及激光器线宽增强参数、驱动电流对分岔的影响,分别得到激光由分岔、周期、多周期进入混沌的过程以及激光混沌频谱.给出了多量子阱激光器...
关键词：多量子阱激光器 分岔 稳定性 混沌 动力学稳定性 
基于光谱学方法半导体激光器热特性测量被引量：1
《飞通光电子技术》2002年第3期132-135,共4页南矿军 张永刚 李爱珍 
报道了一种基于激射光谱进行半导体激光器热特性测量的实验方法。结果表明,基于分析在不同脉冲驱动条件下1.3μm InAsP/InGaAsP脊波导应变补偿多量子阱激光器的激射光谱,可以得到该激光器的热阻等热特性参数。实验中也测量了该激光器的...
关键词：激射光谱 半导体激光器 热特性参数 多量子阱激光器 参数测量 脊波导 
用直接模拟法分析量子阱半导体激光器瞬态响应被引量：1
《光子学报》2000年第7期651-653,共3页张晓霞 潘炜 罗斌 吕鸿昌 陈建国 
铁道部科技发展计划!(97×21);四川省青年科技基金
根据光增益与载流子密度的对数关系 ,通过适应于多量子阱激光器的速率方程的直接模拟分析 ,得到了注入电流、阱数和腔长对多量子阱激光器的激射阈值、开关延迟时间、弛豫振荡频率和光输出等参量之间的依赖关系 .运用相图确立了在瞬态过...
关键词：多量子阱激光器 瞬态响应 增益饱和 直接模拟法 
1.3μm InGaAsP／InP压应变多量子阱激光器的极低阈值（0.56mA）工作
《光纤通信技术》1995年第3期31-32,共2页彭珍珍 艾恕 
通过优化有源层和采用具有高反射涂层的短腔体，对于１．３μｍ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变ＭＱＷ激光器在室温下（２５℃）获得了０．５６ｍＡ这一创记录的低阈值。
关键词：半导体激光器 压应变多量子阱 阈值 激光器 
用于通信的多量子阱激光器
《光纤通信技术》1994年第6期23-30,34,共9页Boid.,JC 
关键词：半导体激光器 光纤传输 光波通信 
分子束外延生长多量子阱激光器的实验研究
《半导体情报》1991年第6期76-78,共3页刘斌 屠玉珍 顾德英 金志良 方祖捷 周均铭 黄绮 
本文报道了GaAlAs/GaAs多量子阱激光器的实验结果。采用Zn扩散平面条形结构的6μm宽单条激光器,获得了线性输出功率大于100mW的良好结果,其阈值电流密度为2000A/cm^2,室温下特征温度大于400K。
关键词：半导体激光器 量子阱 分子束外延 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部