开通特性

作品数:14被引量:71H指数:5
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5G SA反向自开通特性业务应用
《通讯世界》2021年第1期20-21,共2页刘寿梅 李慧敏 蒋尚文 
随着5G SA网络陆续商用,用户对大带宽、低时延、超大连接的需求增大。反向自开通特性可以在无须换卡换号、使用5G SA终端的4G用户处于SA信号覆盖区域的时候,无感知的为用户自动开通优质便捷的5G网络服务。本文针对自开通部署场景及实现...
关键词:SA网络 反向自开通 信令流程 应用 
IGBT门氧层老化故障模拟及其对开通特性的影响
《新型工业化》2018年第8期17-22,共6页张忻庾 向大为 钟响 
IGBT作为中大功率变换器的核心器件,广泛应用于柔性直流输电、新能源发电、轨道机车牵引、电动汽车驱动以及航空航天等重要领域,其运行可靠性对确保系统安全、可靠、高效运行具有重要意义。门氧层是IGBT中相对薄弱的环节,有必要对门氧...
关键词:IGBT门氧层老化故障 IGBT开通特性 故障模拟 故障预诊断 
一种新型GCT开通驱动电路拓扑被引量:5
《大功率变流技术》2015年第6期25-28,共4页曾宏 陈修林 王三虎 张顺彪 王富光 王玉杰 
为了满足更大功率等级GCT器件对开通性能的需求,提出了一种用于IGCT门极驱动单元的新型开通驱动电路拓扑,并通过原理介绍、对比分析及样机测试表明,该拓扑在电路结构、控制信号数量、开通准备时间、IGCT响应速度等方面均优于原拓扑,大...
关键词:IGCT 开通特性 门驱单元 GCT 
700V 4H-SiC晶闸管开通特性的模拟研究(英文)
《固体电子学研究与进展》2012年第5期419-423,共5页臧源 蒲红斌 曹琳 李连碧 
国家自然科学基金资助项目(60876050);陕西省自然科学基金资助项目(2012JQ8009);陕西省教育厅自然科学专项基金资助项目(12JK0546)
通过商用半导体模拟器MEDICI对700 V 4H-SiC晶闸管开通特性进行了模拟研究。模拟结果表明阳极电压小于100 V时,开通过程符合扩散模型,电压更高时,开通时间随阳极电压升高而迅速下降,符合场开通机制。不同于Si及GaAs晶闸管,SiC晶闸管p型...
关键词:4H-SiC晶闸管 开通特性 场开通机制 
晶闸管触发开通特性被引量:27
《强激光与粒子束》2012年第10期2483-2487,共5页郭帆 何小平 王海洋 贾伟 
国家高技术发展计划项目
从载流子的传输过程和载流子数密度两个方面分析了晶闸管触发开通过程,研究了强触发方式对晶闸管开通特性的影响。利用功率MOSFET的快开通特性和通流能力,设计了晶闸管强触发电路,并通过晶闸管开通特性实验平台研究了触发条件和工作电...
关键词:晶闸管 强触发方式 工作电压 开通特性 开通时间 
缓冲层结构RSD机理研究
《湖北工业大学学报》2011年第1期101-105,共5页洪武 梁琳 余岳辉 
国家自然科学基金项目(50907025)
研究大功率半导体开关RSD(Reserve Switching Dynistor)的阻断及开通特性,通过高电平大注入理论对其正向特性进行分析,器件通态压降随开通电流、基区载流子寿命、基区宽度变化,而随基区宽度变化最为剧烈.引入缓冲层压缩场结构减小基区宽...
关键词:大功率半导体开关 开通特性 阻断特性 缓冲层 半导体仿真 
晶闸管的开通特性被引量:3
《电源世界》2010年第5期34-36,25,共4页李永红 韩冰冰 彭加成 李漫 
本文通过对晶闸管开通过程的分析,找出了晶闸管开通中的最高功耗点、门极附近烧毁的原因。从而为高电流上升率下应用的晶闸管的质量分析及门极设计提供一定的依据。
关键词:晶闸管 开通时间 延迟时间 上升时间 
1.2MJ能源模块中两电极气体开关开通特性被引量:2
《强激光与粒子束》2010年第4期799-802,共4页曾晗 李黎 刘刚 胡冠 刘宁 林福昌 
在新的强激光能源系统中,采用了一种大电荷转移量同轴结构的两电极气体开关。为了研究气体开关的开通过程,采用仿真软件ATP与PSCAD分别对该开关在开通过程中的某些特征参量对开通特性的影响进行了仿真分析和研究,提出了一种用于模拟气...
关键词:气体开关 导通模型 触发电压 导通能量 
大功率超高速半导体开关的换流特性研究被引量:7
《中国电机工程学报》2007年第30期38-42,共5页余岳辉 梁琳 颜家圣 彭亚斌 
国家自然科学基金项目(50277016;50577028);高等学校博士学科点专项科研基金(20050487044)~~
研究了一种应用于激光驱动源的大功率超高速半导体开关反向开关晶体管(RSD)的新结构,以实现μs、ns脉宽、MW以上的高重复率脉冲的产生和控制。RSD具有大面积快速均匀开通、可无限串联、功率大、换流效率高、寿命长的特点。利用单次脉冲...
关键词:大功率开关 反向开关晶体管 开通特性 脉冲 DI/DT 
外电路对晶闸管开通特性的影响
《电源世界》2005年第8期60-62,共3页李漫 项建华 韩彬 
本文主要讨论晶闸管的开通特性与门极触发电流大小及主同路放电速度的关系。
关键词:晶闸管 开通 触发 外电路 
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