隔离度

作品数：1062被引量：2062H指数：16
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一种应用于5G的高隔离度双频MIMO天线设计
《固体电子学研究与进展》2025年第2期67-72,共6页段铸 BILLAH MASUM 白茹冰 
提出了一种应用于5G的高隔离度双频多输入多输出(Multiple-input multiple-output,MIMO)天线。采用圆形单极子作为天线单元,通过在圆形辐射贴片上刻蚀C型槽来产生新的谐振,实现了天线的双频特性。天线单元间的边缘间距仅为12 mm(0.14λ_...
关键词：多输入多输出 双频段 高隔离度 单极子天线 去耦合结构 
基于微波多层板的三维集成Ka波段馈电网络被引量：1
《固体电子学研究与进展》2022年第4期275-280,共6页王婕 李姣 严川 褚红军 
基于微波多层板平面传输结构与三维集成垂直过渡结构,设计了一款Ka波段小型化宽带高隔离度馈电网络。该馈电网络由两个Wilkinson功分器组成,尺寸仅为24 mm×24 mm×0.75 mm,可以在35~41 GHz宽频带内实现高达45 dB的端口隔离度,且其插损...
关键词：高隔离度 宽带 小型化 微波多层板 毫米波馈电网络 
多通道DDS基板隔离度设计与优化
《固体电子学研究与进展》2019年第6期468-472,共5页刘树凯 常登辉 何善亮 
随着多通道DDS采样频率的提高,保证通道间的高隔离度成为基板设计中的难题。本文利用Ansys HFSS软件对一款采样频率为2.5GHz的四通道DDS陶瓷基板进行设计,建立了芯片和基板的协同仿真模型,选取基板的通道间耦合间距、信号孔与接地孔比...
关键词：通道隔离度 直接数字频率合成器 HFSS 雷达 
SOI射频开关测试结构特性参数分析
《固体电子学研究与进展》2017年第1期21-25,共5页刘张李 
以0.2μm SOI RF工艺平台为基础,对射频开关测试结构基本特性参数进行分析研究。研究内容包括:a)栅极和衬底通过反向二极管连接;b)浮体器件;c)衬底通过大电阻接地(HR GND);d)衬底通过大电阻连接到栅极控制端(HR,Vsub=Vg)等四种结构。比...
关键词：绝缘体上硅 射频开关 插入损耗 隔离度 谐波 
基于槽线与微带过渡结构的高隔离巴伦设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2016年第1期35-38,共4页张海超 唐宗熙 
提出了一种基于槽线与微带过渡结构的新型高隔离巴伦。首先,本设计采用槽线与微带的过渡结构,它与魔T的腔体结构类似,能够在工作频段内输出严格平衡的两路信号。同时采用槽线与微带的过渡结构可以使本设计更加紧凑方便地集成于一层基板...
关键词：微带与槽线过渡结构 巴伦 高隔离度 
91～98GHz集成单刀单掷开关设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2015年第6期513-517,544,共6页姚常飞 罗运生 周明 赵博 
为解决W波段接收机保护开关和发射机调制开关芯片问题,本文基于0.1mm厚50.8mm(2英寸)熔制石英薄膜电路工艺,研制出了W波段PIN二极管SPST开关准单片。为了考察开关性能的一致性,随机抽取了5个SPST开关作了测试,在91~98GHz频率范围内,开...
关键词：W波段 单刀单掷开关 PIN二极管 插损 隔离度 
全集成绝缘体硅CMOS单刀十六掷天线开关设计
《固体电子学研究与进展》2014年第4期362-366,共5页崔杰 陈磊 赵鹏 康春雷 史佳 牛旭 刘轶 
利用高衬底电阻率的180nm绝缘体硅（SOI）CMOS工艺设计了一种全集成的可用于手机和无线手持设备的多模多频单刀十六掷（SP16T）天线开关。由于衬底电阻率高达1kΩ·cm,且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧,实测结果显示,十六...
关键词：绝缘体硅 单刀十六掷 回波损耗 插入损耗 隔离度 
基于分频器的开关滤波器组件的设计被引量：2
《固体电子学研究与进展》2014年第1期60-64,共5页魏然 朱臣伟 钱兴成 
选频网络广泛用于通信领域,开关滤波器是选频网络中的关键部件。主要介绍了利用单刀多掷开关、分频器和带通滤波器将一个宽带信号根据频率控制码分成多路输出,各路的信号频段均不相同,并通过补偿技术保障各路信号的输出平坦度。组件的...
关键词：单刀多掷开关 分频器 平坦度 隔离度 滤波器 
基于0.5m GaAs PHEMT工艺的单刀十掷射频开关模块被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第4期377-382,共6页赵鹏 许正荣 李晓鹏 钱峰 
描述了采用0.5μm GaAs PHEMT工艺进行单刀十掷射频开关模块的设计工作。模块核心部件为SP10T射频天线开关芯片,内置了用于GSM系统的两条发射通路的谐波抑制低通滤波器,和用于开关控制的驱动电路,改善了线性度。模块实现指标:GSM发射通...
关键词：单刀十掷射频开关 插入损耗 隔离度 功率容限 谐波抑制度 低通滤波器 升压驱动电路 
一种0.5μm GaAs PHEMT工艺的单刀九掷射频开关芯片被引量：6
《固体电子学研究与进展》2011年第1期76-80,共5页郭文婷 王文礼 王肖莹 隋文泉 
描述一个基于0.5μm GaAs PHEMT工艺的射频开关芯片的设计实例。该开关为单刀九掷,包括GSM系统四个通信波段的两条发射通路和四条接收通路以及TD-SCDMA系统三个通信波段的三条收发通路。通过采用一种直流升压驱动电路来改善线性度,可以...
关键词：单刀九掷射频开关 低插入损耗 高隔离度 高线性度 高功率 升压电路 
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