各向异性刻蚀

作品数：41被引量：64H指数：4
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：郝一龙殷华湘徐秋霞李永亮毛海央更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所中芯国际集成电路制造(上海)有限公司北京大学上海华虹宏力半导体制造有限公司更多>>
相关期刊：《电子制作》《集成电路应用》《微纳电子技术》《西南大学学报（自然科学版）》更多>>
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《中国钼业》2014年第3期42-42,共1页
本发明公开了一种刻蚀金属钼材料的方法，在金属钼材料上形成刻蚀掩膜，然后采用高密度等离子体（如ICP、TCP等）干法刻蚀工艺，产生高密度、高能量离子和自由基，实现了对金属钼体材料的高速率、各向异性刻蚀。刻蚀速率可达2．63μm／...
关键词：高密度等离子体 刻蚀工艺 专利 各向异性刻蚀 MEMS器件 主体材料 金属钼 能量离子 
专利名称：一种Mo基／TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法
《中国钼业》2013年第2期48-48,共1页
本发明公开了一种Mo基／TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法，该方法先在半导体衬底上依次形成界面SiO2层、高K栅介质层、Mo基金属栅、TaN金属栅、硅栅层和硬掩膜层；然后进行光刻和硬掩膜的刻蚀；去胶后，以硬掩膜为掩蔽，通过于法刻蚀工艺...
关键词：各向异性刻蚀 叠层结构 金属栅 TAN MO 专利名称 CMOS器件 刻蚀工艺 
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