光电器件

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GeSn光电薄膜及其研究进展
《半导体技术》2023年第9期729-740,共12页李倩影 崔敏 于添景 邓金祥 高红丽 原安娟 
国家自然科学基金青年基金资助项目(12204026);北京市科技新星计划资助项目(Z211100002121079)。
GeSn作为一种新型低成本、绿色半导体材料,具有带隙和晶格常数可调、载流子迁移率高、光吸收性能好和光响应度高等优势,在光电器件领域备受关注,在光伏和热光伏领域不断取得新的突破。对GeSn材料的基本物性、实验制备、应用研究和进展...
关键词：GeSn 基本物性 光电器件 光伏电池 热光伏电池 
超宽禁带AlN材料及其器件应用的现状和发展趋势被引量：9
《半导体技术》2019年第4期241-250,256,共11页何君 李明月 
作为一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,AlN不仅具有超宽直接带隙(6.2 eV)、高热导率、高电阻率、高击穿场强、优异的压电性能和良好的光学性能,而且AlN晶体还与其他Ⅲ-N材料具有非常接近的晶格常数和热膨胀系数。这些特点决定了AlN在GaN外...
关键词：ALN 超宽禁带 光电器件 电力电子器件 声表面波(SAW)器件 
基于DOE优化光学玻璃晶片边缘磨削工艺被引量：7
《半导体技术》2010年第3期228-232,共5页党兰焕 贺敬良 王学军 
在光电器件的制造过程中,用光学玻璃晶片作为电路制作的基板材料。玻璃晶片通过在大面积的玻璃面板上划圆获得。划圆后会形成非常锐利的边缘,需要将锐利边缘磨削成圆弧形,以减少在后续加工中产生破损、崩边。在光学玻璃晶片的边缘磨削中...
关键词：玻璃晶片 边缘磨削 崩边 光电器件 实验设计法 
第十五届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议第二轮征文通知
《半导体技术》2008年第11期1052-1053,共2页
关键词：化合物半导体材料 光电器件 光电元件 电子管 微波器件 电子器件 会议 
多孔硅(PS)及其光电器件研究进展被引量：2
《半导体技术》1999年第3期8-13,共6页郭宝增 
综述了近几年来人们对多孔硅材料的研究及其用于硅基光电器件制造方面的进展。
关键词：多孔硅 发光二极管 光探测器 硅集成电路 
硅基光电器件研究进展被引量：2
《半导体技术》1999年第1期19-24,共6页郭宝增 
在信息处理和通信技术中，光电子器件起着越来越重要的作用。然而，因为硅是间接带隙半导体，试图把光电子器件集成在硅微电子集成电路上却遇到很大困难。为解决这一困难，人们发展了多种与硅微电子集成电路兼容的光电子器件制造技术。...
关键词：多孔硅 光电子器件 硅集成电路 半导体光电器件 
MOS结构衬底电阻率ρ对光电参数的影响
《半导体技术》1998年第5期40-42,共3页陈杰 戴文战 
用高阻ｐ型硅（ρ＝１２０００Ωｃｍ）单晶材料制作了ＭＯＳ结构器件，对样管的光电参数进行了测量。在激光辐射下，测出样管在光照前后的Ｃ－Ｖ实验曲线及样管在０．４Ｖ偏压下，光照前后的电容相对变化率为３９．５％。而用低阻ｐ型...
关键词：半导体光电器件 C-V特性曲线 光电容 测试 
光控调频效应的实验研究被引量：4
《半导体技术》1997年第1期19-22,共4页李树荣 郭维廉 郑云光 李晓江 田瑞芬 
自然科学基金资助项目
将双基区晶体管（ＤＵＢＡＴ）与一光电探测器件相结合，首次实现了三端负阻器件的光控调频效应。得到每ｌｕｘ光强改变频率２．０×１０５Ｈｚ（对光敏电阻）和每ｌｕｘ光强改变频率２．
关键词：三端负阻器件 光控调频效应 半导体 光电器件 
VMJ光电器件电极引线新法被引量：1
《半导体技术》1992年第2期20-21,共2页张治国 吴巧兰 
本文分析了VMJ光电器件使用传统电极引线工艺所存在的问题,进而提出了一种非常简单的电极引线方法。
关键词：VMJ 光电器件 电极 引线 
光电器件发展概况和发展动向
《半导体技术》1990年第4期1-7,共7页薛江虹 
本文重点介绍几种主要半导体光电子器件,如平板显示器件、半导体光传感器、LED和光电集成器件的国内外概况和发展动向。
关键词：半导体器件 光电器件 
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