硅片直接键合

作品数：30被引量：64H指数：5
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基于SDB技术的新结构PT型IGBT器件研制被引量：4
《Journal of Semiconductors》2000年第9期877-881,共5页何进 王新 陈星弼 
国家自然科学基金资助项目! ( 697760 4 1 )&&
报道了基于 SDB技术的新结构穿通 ( PT)型 IGBT器件的研制 .运用 SDB技术 ,实现了PT型 IGBT器件的 N+ 缓冲层的优化设计 ,也形成了 IGBT器件的正斜角终端结构 .研制出IGBT器件有较好的电击穿特性和关断特性 .
关键词：IGBT 硅片直接键合 PT型 双极晶体管 
硅-硅直接键合界面上SiO_2的非稳定性被引量：2
《电子科技大学学报》1999年第5期494-497,共4页何进 王新 陈星弼 
国家自然科学基金!69776041
对硅一硅直接健合界面上的SiO2进行了研究。借助高真空的AES和高分辨率的SEM显微分析观察到界面上的SiO2化学组成为非化学计量比的SiO1.5，以类球形小岛状均匀分布于键合界面上，平均半径远大于界面自然氧化层。对界面SiO2的理论分析表...
关键词：硅片直接键合 二氧化硅 界面自由能 非稳定性 
硅-硅直接键合的亲水处理及界面电特性被引量：4
《微电子学》1999年第5期354-357,共4页何进 王新 陈星弼 
研究了基于亲水处理的微观机理分析和不同清洗剂亲水处理的过程及效果,提出了一种独特的三步亲水处理法。这一方法既能顺利完成室温预键合,又能减少界面上非定形大尺寸SiOx体的生成,避免了界面对电输运的势垒障碍。
关键词：半导体工艺 表面处理 硅片直接键合 亲水处理 
硅片直接键合的微观动力学研究被引量：1
《半导体技术》1999年第6期33-35,共3页何进 陈星弼 王新 
基于直接键合硅片表面能与退火温度的关系曲线， 定量讨论了键合时键合界面上的微观动力学变化过程。首次提出五阶段键合模型计算值与实测表面能曲线相一致，初步确定了键合过程中界面发生的微观反应机理。
关键词：硅片直接键合 微观动力学 硅微结构 
直接键合硅片的亲水处理及其表征被引量：16
《半导体技术》1999年第5期23-25,29,共4页何进 陈星弼 杨传仁 王新 
硅片直接键合（ＳＤＢ） 技术的关键在于硅片表面的亲水处理， 本文分析了亲水处理之微观机理。从界（表） 面物理化学角度讨论了接触角对硅片表面亲水性的表征及其准确测量方法，
关键词：硅片直接键合 亲水处理 接触角 SDB技术 硅 
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