合金薄膜

作品数：238被引量：320H指数：9
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Cu-Nb合金薄膜的微观结构与辐照损伤
《稀有金属》2021年第3期372-377,共6页于开元 李彦 孙祎帆 张干 张展瑄 
国家自然科学基金项目(51501225)资助。
采用真空磁控溅射共溅法制备了CuxNb100-x(x=15,25,35,50,65,75,85,%,原子分数)7种成分的合金薄膜,采用氦(He)离子注入手段对合金薄膜进行室温辐照改性,利用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和纳米压痕仪研究了辐照前后合金薄膜...
关键词：Cu-Nb合金 薄膜 辐照损伤 非晶 
中频磁控溅射制备锰铜传感器用合金薄膜的工艺被引量：2
《稀有金属》2014年第3期427-431,共5页张延松 牟宗信 吴敏 丁昂 牟晓东 钱坤明 
中国兵器工业集团总公司兵器预研支撑基金项目(62301110702)资助
利用镀膜技术制作锰铜传感器,可以实现传感器的超薄化,提高传感器的灵敏度和线性度。改变溅射功率参数,采用中频磁控溅射技术在玻璃(SiO2)衬底上制备出一系列锰铜镍合金薄膜,重点研究沉积条件对薄膜式锰铜传感器薄膜结构、表面形貌等性...
关键词：锰铜合金 溅射功率 形貌 磁控溅射 
磁控溅射沉积Cu-Nb薄膜的特征及热退火的影响被引量：5
《稀有金属》2011年第1期59-65,共7页郭中正 孙勇 段永华 周铖 彭明军 
云南省自然科学基金重点资助项目(2004E0004Z);国家自然科学基金资助项目(50871049);云南省教育厅科学研究基金(09Y0091)资助
用磁控共溅射法制备含铌1.16%～27.04%(原子分数)的Cu-Nb合金薄膜,运用EDX,XRD,SEM,TEM,显微硬度仪和电阻仪对沉积态和热退火态薄膜的成分、结构和性能进行了研究。结果表明,Nb添加显著影响Cu-Nb合金薄膜微结构,使Cu-Nb薄膜晶粒细化,含...
关键词：Cu-Nb合金薄膜 纳米晶结构 热退火 显微硬度 电阻率 
Si<sub>1-y</sub>C<sub>y</sub>合金薄膜中替位式C组分随生长温度的变化
《稀有金属》2007年第S2期5-8,共4页王荣华 韩平 王琦 夏冬梅 谢自力 张荣 
国家重点基础研究发展规划基金(2006CB604900);国家高技术研究发展规划基金(2006AA03A103);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(9140C1404010605)
用化学气相淀积方法,以乙烯为碳源、硅烷为硅源,在Si(100)衬底上外延生长了替位式C组分达1.22%的Si1-yCy合金薄膜,研究表明:处于替位式格点位置的C原子与Si原子成键,形成Si-C局域振动模;随着生长温度的降低,更多具有较低迁移率的C原子...
关键词：化学气相淀积 Si1-yCy合金薄膜 Si-C局域振动模 
生长温度对Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>∶C合金薄膜性质的影响
《稀有金属》2007年第S2期21-24,共4页夏冬梅 王荣华 王琦 韩平 谢自力 张荣 
国家重点基础研究发展规划基金(2006CB604907);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);2006年度国防科重点实验室基金(9140C1404010605)
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上制备Si缓冲层,继而外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。研究表明,较低的Si缓冲层或Si1-xGex∶C外延层生长温度均不利于获得理想的Si1-xGex∶C合金薄膜,仅在Si缓冲层和Si1-xGex∶C外延层的生长...
关键词：化学气相淀积 Si1-xGex∶C合金薄膜 生长温度 
Si_(1-y)C_y合金薄膜中替位式C组分随生长温度的变化
《稀有金属》2007年第z1期5-8,共4页王荣华 韩平 王琦 夏冬梅 谢自力 张荣 
国家重点基础研究发展规划基金(2006CB604900);国家高技术研究发展规划基金(2006AA03A103);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(9140C1404010605)
用化学气相淀积方法,以乙烯为碳源、硅烷为硅源,在Si(100)衬底上外延生长了替位式C组分达1.22%的Si1-yCy合金薄膜,研究表明:处于替位式格点位置的C原子与Si原子成键,形成Si-C局域振动模;随着生长温度的降低,更多具有较低迁移率的C原子...
关键词：化学气相淀积 Si1-yCy合金薄膜 Si-C局域振动模 
生长温度对Si_(1-x)Ge_x∶C合金薄膜性质的影响
《稀有金属》2007年第z1期21-24,共4页夏冬梅 王荣华 王琦 韩平 谢自力 张荣 
国家重点基础研究发展规划基金(2006CB604907);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);2006年度国防科重点实验室基金(9140C1404010605)
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上制备Si缓冲层,继而外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。研究表明,较低的Si缓冲层或Si1-xGex∶C外延层生长温度均不利于获得理想的Si1-xGex∶C合金薄膜,仅在Si缓冲层和Si1-xGex∶C外延层的生长...
关键词：化学气相淀积 Si1-xCex:C合金薄膜 生长温度 
微材料学与形状记忆合金薄膜被引量：1
《稀有金属》1995年第3期211-217,共7页千东范 
概述了微材料学产生的历史背景、微材料学基本概念、微材料分类、微驱动器特性以及ＮｉＴｉ形状记忆合金薄膜的研制现状、特性及微器件。
关键词：微材料学 微机械 薄膜 形状记忆合金 
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