发光研究

作品数：368被引量：958H指数：11
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Tb^(3+),Yb^(3+)共掺Y_2O_3透明陶瓷的制备及其下转换近红外发光研究被引量：4
《光学学报》2010年第12期3547-3551,共5页林辉 周圣明 侯肖瑞 李宇焜 李文杰 滕浩 贾婷婷 
国家863计划(2006AA03A101);上海市科委项目(10JC1415700)资助课题
采用真空烧结制备了透明度良好的Tb3+,Yb3+共掺的(Tb0.01Y0.99-xYbx)2O3(摩尔分数x=0,0.02,0.05,0.1)透明陶瓷。在484 nm的蓝光激发下,通过Tb3+离子的敏化作用,实现了Yb3+离子的下转换近红外发光。由Tb3+到Yb3+主要的能量传递机理为:Tb3...
关键词：材料 透明陶瓷 近红外 能量传递 合作下转换发光 
CdS/CdTe薄膜太阳电池的深能级瞬态谱和光致发光研究被引量：7
《物理学报》2009年第3期1987-1991,共5页黎兵 刘才 冯良桓 张静全 郑家贵 蔡亚平 蔡伟 武莉莉 李卫 雷智 曾广根 夏庚培 
国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2003AA513010);国家自然科学基金(批准号:60506004)资助的课题~~
用深能级瞬态谱和光致发光研究了无背接触层的CdS/CdTe薄膜太阳电池的杂质分布和深能级中心.得到了净掺杂浓度在器件中的分布.确定了两个能级位置分别在EV+0.365eV和EV+0.282eV的深中心,它们的浓度分别为1.67×1012cm-3和3.86×1011cm-2...
关键词：深能级瞬态谱 光致发光 CdS/CdTe太阳电池 
n型GaN薄膜输运性质与发光研究被引量：2
《中国科学（G辑）》2008年第9期1221-1227,共7页张曾 张荣 谢自力 刘斌 修向前 江若琏 韩平 顾书林 施毅 郑有炓 
国家重点基础研究发展计划(编号:2006CB6049);国家高技术研究发展计划(编号:2006AA03A142);国家自然科学基金(批准号:60721063,60731160628,60676057);教育部重大项目(编号:10416);高等学校博士学科点专项科研基金(编号:20050284004);江苏省自然科学基金(编号:BK2005210)资助项目
系统研究了掺Si的n型GaN的表面形貌、电学性质和光学性质.GaN薄膜采用金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)制备,通过选择不同掺杂流量的SiH4,使n型载流子浓度变化范围为3×1016~5.4×1018cm-3.原子力显微镜研究发现随掺杂浓度的增加样品表...
关键词：N型GAN 表面形貌 霍尔效应 光致发光 
有机磷光材料的固态阴极射线发光研究
《物理学报》2008年第12期7896-7899,共4页董谦 赵谡玲 徐征 张福俊 李远 宋丹丹 徐叙瑢 
国家自然科学基金(批准号:10774013;60576016);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03Z0412);教育部博士点基金(批准号:20070004024);教育部博士点新教师科研基金(批准号:20070004031);北京市科技新星计划(批准号:2007A024);北京交通大学科技基金(批准号:2005SM057)资助的课题~~
采用有机磷光材料三-(2-苯基吡啶)-铱(Ir(PPY)3)与无机材料SiO2复合制成夹层结构器件,用交流电压驱动获得了Ir(PPY)3主峰位于517nm的发光和主峰位于435nm的蓝色发光.通过分析器件的光谱特性,发现这两个发光峰都是源于SiO2中加速电子直...
关键词：夹层结构器件 有机磷光材料 固态阴极射线发光 
Gd_2O_3:Yb，Er纳米材料的制备及上转换发光研究被引量：7
《稀有金属材料与工程》2007年第A02期149-151,共3页王婷 王悦辉 富鸣 李勃 周济 
863计划资助项目(2003AA32G030);973计划资助项目(2002CB61306;2001CB6104);国家自然科学基金(50425204;50272032;90401012)
利用Triton X-100/正己醇/环己烷/正己烷/水制成W/O微乳反胶团体系制备Gd_2O_3:Yb,Er上转换材料。利用扫描电镜观察氧化物粉体的颗粒形貌均为球形:通过改变掺杂元素Yb和ET的比例,在980 nm的红外光激发下,观察研究氧化物颗粒的发光性质...
关键词：纳米材料 微乳液 上转换 
硅基半导体中埋置硅量子点的低温生长与发光研究
《山西大学学报（自然科学版）》2007年第2期193-200,共8页黄娆 马利波 
国家自然科学基金(10404034;10574147;50472070;60021403);国家"863"计划(2003AA302170)
在硅基半导体中埋置的硅量子点因量子限域效应而具有光致发光的性能,是一种实现硅基光电集成很有前途的材料.文章介绍了此类复合薄膜的可控生长,并对其发光进行了研究.
关键词：硅 量子点 光致发光 量子限域效应 
SrF_2晶体中Ho^(3+)-Ho^(3+)离子对的上转换发光研究被引量：9
《中国稀土学报》1999年第2期111-115,共5页张晓 刘行仁 黄世华 许武 
中国科学院留学基金;国家自然科学基金;"863"项目资助
究了在连续可调谐红色染料激光激发下，掺杂Ｈｏ３＋离子的ＳｒＦ２单晶中Ｈｏ３＋Ｈｏ３＋对的上转换发光特性。Ｈｏ３＋Ｈｏ３＋离子对的上转换发光主要分布于：强５Ｆ３→５Ｉ８跃迁４８０ｎｍ蓝色发射，较强５Ｓ２，５Ｆ４→５...
关键词：稀土 上转换发光 氟化锶 钬掺杂 激光材料 
用MOCVD技术在Al_2O_3衬底上外延GaN的光致发光研究被引量：1
《光子学报》1997年第11期982-986,共5页高瑛 缪国庆 吕少哲 元金山 黄世华 
国家863高技术项目;国家重点自然科学基金;中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室资助
本文通过变温和变激发强度的光致发光研究了用MOCVD在Al2O3上生长GaN单晶薄膜的带边发射，通过分峰拟合得到A、B、C、D四个谱峰，其中半峰宽分别为13．8meV10.8meV、15.6meV和50meV.A对应自由激子谱区，B、C为两种束缚激子的跃迁，D与...
关键词：单晶薄膜 光致发光 MOCVD 氮化镓 
SiO_2玻璃掺杂固溶半导体(Zn_xCd_(1-x)S)的光致发光研究被引量：7
《发光学报》1997年第2期133-137,共5页师文生 张良莹 姚熹 
国家"863"计划资助课题
利用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ工艺制备了掺杂固溶半导体ＺｎｘＣｄ１－ｘＳ的ＳｉＯ２玻璃．吸收光谱研究表明材料的吸收边随Ｚｎ含量的增加而向短波方向移动；温度提高有利于生成较完整的晶粒．以短脉冲激光为激发光源对材料的光致发光效应作了...
关键词：光致发光 固溶半导体 吸收边 二氧化硅玻璃 
静压下Znse／Zn_（1－x）Cd_xSe应变超晶格的光致发光研究被引量：4
《发光学报》1995年第3期232-237,共6页李文深 池元斌 李岩梅 范希武 杨宝均 申德振 吕有明 
国家"863"计划;光电子主题国家"攀登计划";国家自然科学基金;中国科学院长春物理所激发态物理开放实验室资助
本文首次在室温和０—２．５ＧＰａ静压范围内研究了Ｚｎｓｅ／Ｚｎ０．２６Ｃｄ０．２６Ｓｅ应变超晶格的静压光致发光，观察到了室温条件下的超晶格阱层的重空穴激子跃迁随压力的亚线性变化的特性．经过计算机拟合实验数据得到了一阶...
关键词：光致发光 应变超晶格 硒化锌 
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