高K材料

作品数：29被引量：44H指数：4
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相关机构：复旦大学中国科学院微电子研究所中芯国际集成电路制造(上海)有限公司西安电子科技大学更多>>
相关期刊：《微电子学》《半导体技术》《物理学报》《热加工工艺》更多>>
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高k材料镧前驱体La(tmhd)_(3)和La(tmod)_(3)的热力学及其ALD应用
《微纳电子技术》2023年第7期1047-1057,共11页周洪 丁玉强 
通过同步热分析研究两种不同的前驱体(La(tmhd)_(3)和La(tmod)_(3))在升华过程中的热稳定性。结果表明,具有不对称分子结构的La(tmod)_(3)的挥发性大于La(tmhd)_(3),其可以作为镧前驱体应用于原子层沉积(ALD)技术。将La(tmod)_(3)和O_(3...
关键词：LAOX La(tmhd)_(3) 原子层沉积(ALD) La(tmod)_(3) 热分析 O_(3) 
Si基Er_2O_3薄膜初始生长的原位RHEED和AES研究
《微纳电子技术》2015年第2期98-102,共5页苑军军 仇庆林 朱燕艳 
国家自然科学基金资助项目(11305100);上海市自然科学基金资助项目(15ZR1418700)
采用分子束外延(MBE)法在Si(001)衬底上生长Er2O3高k薄膜材料。X射线衍射结果表明,用这一方法得到的硅基Er2O3薄膜是(440)取向的单晶,电学测试预示在Si和Er2O3薄膜的界面有一层很薄的界面层。为了研究Si/Er2O3异质结的界面,通过原位反...
关键词：Er2O3 高K材料 界面演变 反射式高能电子衍射(RHEED) 俄歇能谱(AES) 
电荷俘获存储器阻挡层研究进展
《微纳电子技术》2012年第6期360-368,共9页白杰 霍宗亮 刘璟 刘紫玉 张满红 杨建红 刘明 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2011CBA00600;2010CB934200);国家自然科学基金资助项目(60825403;61176080;61176073);国家重大科技专项(2009ZX02023005)
随着非挥发性存储器(NVM)存储单元的特征尺寸进入20 nm节点,使用单层SiO2作为阻挡层的传统电荷俘获存储器结构性能上逐渐受到限制。基于阻挡层在存储器栅堆栈中的作用与基本要求,首先,指出单层SiO2作为阻挡层存在的主要问题,然后对高介...
关键词：电荷俘获存储器(CTM) 阻挡层 高K材料 隧穿 AL2O3 
NEC采用浸入式光刻开发出55nm工艺,预计2007年量产
《微纳电子技术》2006年第3期159-159,共1页
NEC电子公司开发出名为UX7LS的55nm节点工艺，采用了浸入式光刻和高k材料。该工艺可提供比65nm工艺在操作和待机模式下低十分之一的功耗。UX7LS是对65nm工艺的改进版本。通过将65nm工艺技术与高k薄膜结合，开发出了极限低功率LSI，该工...
关键词：65nm工艺 NEC电子公司 浸入式 开发 光刻 预计 高K材料 待机模式 工艺技术 网络系统 
名词术语释义——高k材料
《微纳电子技术》2005年第7期317-317,共1页
在不同晶体管之间需要更好的绝缘，以避免电流泄漏。在90nm工艺之后，不同晶体管的间距变得非常之短，电流泄漏现象变得异常严重。虽然采用SOI可以有效隔断各电极向衬底流动的漏电流，使其只能够通过晶体管流动，但它对于同级晶体管之...
关键词：高K材料 术语释义 名词 90nm工艺 晶体管 氧化物材料 电流泄漏 泄漏现象 二氧化硅 漏电流 SOI 绝缘层 流动 衬底 栅极 
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