高K材料

作品数：29被引量：44H指数：4
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相关机构：复旦大学中国科学院微电子研究所中芯国际集成电路制造(上海)有限公司西安电子科技大学更多>>
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尖峰退火在深亚微米超浅结中的应用被引量：1
《集成电路应用》2008年第6期45-46,共2页周庆刚 
栅极和沟道的尺寸缩小，受限于源／漏结点和栅介质的发展。尽管金属栅和高k材料在逐步应用，短沟道效应（SCE）依然是个重大挑战。晶体管也会有多种二级效应：影响迁移率的载流子速度饱和效应、缩短器件寿命的热载流子效应和降低亚阈特...
关键词：深亚微米 应用 超浅结 热载流子效应 短沟道效应 退火 尺寸缩小 高K材料 
高k材料/金属栅电极迈向大规模量产被引量：2
《集成电路应用》2008年第1期28-32,39,共6页Reza Arghavani Gary Miner Melody Agustin 
到了45纳米技术节点,高介电常数绝缘材料和金属栅电极将被用于制造逻辑电路器件。而采用高金属功函数和能隙工程电荷陷阱的闪存也能从这些项技术中获益。
关键词：栅电极 金属 高K材料 模量 技术节点 高介电常数 电路器件 绝缘材料 
脉冲测量技术越过高K材料电荷捕获的壁垒
《集成电路应用》2006年第6期24-27,共4页Y.Zhao C.D.Young R.Choi B.H.Lee 
由于高介电常数的栅电路结构在俘获电荷机制上存在负面影响,常规的直流量测技术已经捉襟见肘了。脉冲电流-电压量测技术能够彻底解决这一难题,从而得到高介电常数栅电路结构晶体管的本征电学表现。
关键词：高K材料 测量技术 电荷 脉冲 高介电常数 电路结构 量测技术 电流-电压 晶体管 本征 
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