高电子迁移率

作品数：658被引量：844H指数：9
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一种L波段300W GaN脉冲功率模块
《半导体技术》2024年第6期555-560,共6页董四华 刘英坤 高永辉 秦龙 
随着第三代半导体GaN器件技术的不断发展,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在电子系统中逐步得到了广泛应用。研制了一款小型化L波段300 W GaN脉冲功率模块。研发了满足高压脉冲工作条件的GaN HEMT芯片,采用负载牵引技术进行了器件大信号阻...
关键词：GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 负载牵引技术 高压脉冲调制 L波段 功率模块 
基于GaAs E/D PHEMT工艺的Ku波段双通道幅相控制多功能芯片被引量：1
《半导体技术》2024年第6期575-579,588,共6页徐伟 赵子润 刘会东 李远鹏 
基于GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺设计了一款14~18 GHz的双通道多功能芯片。芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关、6 bit数控移相器、4 bit数控衰减器和增益补偿放大器。采用正压控制开关以减小控制位数;优化移相、...
关键词：双通道 多功能芯片 增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT) 单刀双掷(SPDT)开关 数控移相器 数控衰减器 
一种抑制栅极正负向串扰的GaN HEMT无源驱动电路被引量：2
《半导体技术》2024年第5期483-491,共9页王忠 秦世清 王福学 边国辉 
GaN器件由于其更快的开关速度,比硅器件更容易发生严重的开关振荡,也更容易受到栅源电压振荡的影响。为了抑制GaN基半桥结构中的串扰,提出了一种抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)栅极正负向串扰的无源钳位驱动电路来抑制栅源电压振荡。...
关键词：GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 驱动电路 串扰 桥式电路 电路振荡 
0.2~2.0GHz100W超宽带GaN功率放大器被引量：1
《半导体技术》2024年第3期252-256,共5页张晓帆 银军 倪涛 余若祺 斛彦生 王辉 高永辉 
设计并实现了一款基于0.25μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的100 W超宽带功率放大器。基于SiC无源工艺设计了集成无源器件(IPD)输入预匹配电路芯片;设计了基于陶瓷基片的T型集成输出预匹配电路;基于建立的传输线变压器(TLT)的精确...
关键词：GaN高电子迁移率功率管(HEMT) 功率放大器 集成无源器件(IPD) 超宽带 传输线变压器(TLT) 
具有自驱动有源缓冲器的GaN基高效准谐振反激式功率变换器
《半导体技术》2024年第3期263-271,共9页王忠 曹通 王福学 边国辉 
提出了一种具有自驱动有源缓冲器的GaN基高效准谐振(QR)反激式功率变换器,以解决准谐振反激式功率变换器中开关管关断时电压过高的问题。电路以GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件为主开关管和同步整流器开关管,自驱动有源缓冲器由钳位电...
关键词：反激式变换器 电压浪涌 自驱动有源缓冲器 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) DC-DC 
基于InP HEMT的太赫兹分谐波混频器芯片设计
《半导体技术》2024年第2期151-157,共7页何锐聪 王亚冰 何美林 胡志富 
基于70 nm InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款175~205 GHz分谐波混频器太赫兹单片集成电路(TMIC)。使用三线耦合Marchand巴伦实现本振信号的平衡-不平衡转换。在射频端口设计了紧凑型耦合线结构的带通滤波器,实现对射频信号...
关键词：INP 高电子迁移率晶体管(HEMT) 太赫兹单片集成电路 分谐波混频器 带通滤波器 Marchand巴伦 
X波段平衡式限幅低噪声放大器MMIC
《半导体技术》2023年第9期805-811,共7页李远鹏 魏洪涛 刘会东 
为满足接收机的小型化需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款用于8~12 GHz的平衡式限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。将Lange电桥、限幅器、LNA集成在同一衬底上,Lange电桥采用异形设计,芯片比传统尺...
关键词：赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 限幅器 低噪声放大器(LNA) 单片微波集成电路(MMIC) 负反馈 
2~6GHz高性能开关滤波器组MMIC
《半导体技术》2023年第8期706-712,共7页李远鹏 陈长友 刘会东 
基于0.25μm GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款2~6 GHz开关滤波器组单片微波集成电路(MMIC)芯片。片上集成了8路带通滤波器、输入、输出单刀八掷(SP8T)开关、3-8译码器和驱动器。通过输入、输出SP8T开关进行通道选...
关键词：赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 带通滤波器 低通滤波器 单刀八掷(SP8T)开关 3-8译码器 驱动器 
超宽禁带半导体AlN功率电子学的新进展(续)
《半导体技术》2023年第6期453-462,共10页赵正平 
以SiC和GaN为代表的第三代半导体功率电子学已成为当今功率电子学创新发展的主流,而有可能成为下一代固态功率电子学的超宽禁带半导体AlN功率电子学和同类的Ga_(2)O_(3)、金刚石功率电子学同样受到人们的关注。介绍了AlN功率电子学在Al...
关键词：ALN AlN二极管 AlN高电子迁移率晶体管(HEMT) AlN增强GaN HEMT 热管理 
超宽禁带半导体AlN功率电子学的新进展
《半导体技术》2023年第5期361-374,共14页赵正平 
以SiC和GaN为代表的第三代半导体功率电子学已成为当今功率电子学创新发展的主流,而有可能成为下一代固态功率电子学的超宽禁带半导体AlN功率电子学和同类的Ga_(2)O_(3)、金刚石功率电子学同样受到人们的关注。介绍了AlN功率电子学在Al...
关键词：ALN AlN二极管 AlN高电子迁移率晶体管(HEMT) AlN增强GaN HEMT 热管理 
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