云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- Β-FESI2

Β-FESI2: 作品数：85被引量：152H指数：8; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：闫万珺李晓娜董闯谢泉周士芸更多>>; 相关机构：贵州大学兰州理工大学大连理工大学安顺学院更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金贵州省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>

β-FeSi_2 films prepared on 6H-SiC substrates by magnetron sputtering被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2015年第6期29-34,共6页李虹蒲红斌郑春蕾陈治明; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.51177134);the Natural Science Basic Research Plan in Shaanxi Province of China(No.2015JM6286); β-FeSi2 thin films have been successfully prepared by magnetron sputtering and post rapid thermal annealing method on 6H-SiC （0001） substrates using a FeSi2 target and a Si target. X-ray diffraction （XRD） and Ram...; 关键词：β-FeSi2 films 6H-SiC substrates magnetron sputtering X-ray diffraction （XRD）

Photoelectric properties of p-β-FeSi_2/n-4H-SiC heteroj unction near-infrared photodiode被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2015年第5期58-60,共3页郑春蕾蒲红斌李虹陈治明; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.51177134); We give the first report on the experimental investigation of a p-β-FeSi2/n-4H-SiC heterojunction. A β-/%FeSiE/n-4H-SiC heterojunction near-infrared photodiode was fabricated on 4H-SiC substrate by magnetron sputter...; 关键词：Β-FESI2 magnetron sputtering p-β-FeSi2/n-4H-SiC heterojunction photoelectric properties

The optical–electrical properties of doped β-FeSi_2: 《Journal of Semiconductors》2013年第10期19-25,共7页闫万珺张春红张忠政谢泉郭本华周士芸; supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61264004);the Natural Science Foundation of Guizhou Province,China(Nos.[2009]2055,[2010]2001);the Research Foundation of Education Bureau of Guizhou Province,China(No.[2011]278);the Key Laboratory of Function Material and Resource Chemistry of Education Bureau of Guizhou Province,China;the Engineering Center of Aviation Electronic Electrical of Education Bureau of Guizhou Province,China; By using the pseudo-potential plane-wave method of first principles based on the density function theory, the geometrical, electronic structures and optical properties of FeSil.875M0.125 （M = B, N, A1, P） were calcu...; 关键词：doped β-FeSi2 geometrical structure electronic structures optical properties first principles

Density functional theory studies of the optical properties of a β-FeSi_2 (100)/Si(001) interface at high pressure: 《Journal of Semiconductors》2013年第7期11-14,共4页李海涛钱军韩芳芳李廷会; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61264008); High pressure has a significant influence onβ-FeSi_2 band gaps and optical absorption tuning.In this work,using density functional theory,we investigate the effect of high pressure on the optical absorption behavior ...; 关键词：β-FeSi2 （100）/Si （001） interface optical absorption electronic structure high-pressure

铁硅化合物β-FeSi_2带间光学跃迁的理论研究被引量：16: 《Journal of Semiconductors》2007年第9期1381-1387,共7页闫万珺谢泉张晋敏肖清泉梁艳曾武贤; 国家自然科学基金(批准号:60566001);教育部博士点专项科研基金(批准号:20050657003);教育部留学回国科研基金(批准号:教外司(2005)383);贵州省科技厅国际合作项目(批准号:黔科合G(2005)400102);贵州省教育厅重点基金(批准号:05JJ002);贵州省留学人员科技项目(批准号:黔人项目(2004)03);贵州省委组织部高层人才科研资助项目~~; 采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了β-FeSi2基态的几何结构、能带结构和光学性质.能带结构计算表明β-FeSi2属于一种准直接带隙半导体,禁带宽度为0.74eV;其能态密度主要由Fe的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;利用...; 关键词：Β-FESI2 电子结构光学特性

退火温度对嵌入Si中的β-FeSi_2颗粒发光的影响被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2006年第1期82-85,共4页李成赖虹凯陈松岩; 福建省青年科技人才创新(批准号:2004J021);集成光电子学国家重点实验室半导体所开放课题资助项目~~; 研究了退火温度对分子束外延(MBE)方法生长的Si基β-FeSi2颗粒的发光性质和电学特性的影响.结果表明,在900℃下退火的样品,虽然β-FeSi2的结晶质量有所提高,但是由于晶格失配和热膨胀系数的不同,在Si中引入位错,导致样品的光致发光谱展...; 关键词：Β-FESI2 光致发光退火

Measurements of Carrier Confinement at β-FeSi_2-Si Heterojunction by Electroluminescence: 《Journal of Semiconductors》2005年第2期230-233,共4页李成末益崇长谷川文夫; 福建省青年科技人才创新资助项目 (编号 :2 0 0 4J0 2 1)~~; A Si p-π-n diode with β-FeSi 2 particles embedded in the unintentionally doped Si (p--type) was designed for determining the band offset at β-FeSi 2-Si heterojunction.When the diode is under forward bias,the elec...; 关键词：β-FeSi2-Si heterojunction ELECTROLUMINESCENCE band offset carrier confinement

C掺杂对离子注入合成β- FeSi_2 薄膜的影响被引量：4: 《Journal of Semiconductors》2001年第12期1507-1515,共9页李晓娜聂冬董闯徐雷张泽; 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 9872 0 0 7)~~; 采用离子注入方法制备β- Fe Si2 薄膜 ,选择 C作为掺杂元素 ,得到了β- Fe Si2 硅化物层与基体间的界面平直、厚度均一的高质量薄膜 .经透射电镜分析可知 ,引入 C离子后硅化物层的微结构向有利于薄膜质量的方向发展 ,晶粒得到细化 ,β-...; 关键词：Β-FESI2 半导体薄膜离子注入 C掺杂

β－FeSi_2／SIMOX──一种新结构的光电子材料: 《Journal of Semiconductors》1996年第4期261-264,共4页王连卫沈勤我林贤林成鲁邹世昌庄志诚; 上海市自然科学基金; 本文采用固相外延法在ＳＩＭＯＸ衬底上生长了β－ＦｅＳｉ２薄膜，采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），卢瑟辐背散射（ＲＢＳ）以及自动扩展电阻测量研究了样品的多层结构，Ｒａｍａｎ谱表征说明它与直接在硅片上生长的薄膜具有类似的晶格振动...; 关键词：光电子材料 Β-FESI2 SIMOX 薄膜生长

退火条件对β—FeSi_2形成的影响被引量：4: 《Journal of Semiconductors》1995年第10期794-797,共4页陈向东王连卫林贤林成鲁邹世昌; 上海市重大自然科学基金; 本文采用反应沉积－团相外延法制备β－ＦｅＳｉ２溥膜．不同温度及持续时间的后退火处理的Ｘ射线衍射分析表明降低衬底温度，延长退火时间可以提高样品晶体质量．利用卢瑟福背散射方法研究了β－ＦｅＳｉ２的形成过程中的Ｓｉ的扩散。...; 关键词：Β-FESI2 退火光电子材料外延生长薄膜

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