半导体物理

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半导体物理
《电子科技文摘》2006年第9期29-29,共1页
0622894量子信息中量子态的矩阵表示[刊,中]/张登玉//衡阳师范学院学报．—2006,27(3)．—26-31(G)用矩阵表示量子信息中的量子态便于进行量子并行计算。本文以矩阵及变换理论为基础,对纯态、混合态、缠绕态及量子相干叠加态的矩阵表示...
关键词：束缚磁极化子 基态能量 固体电子学 受限 长度 半导体物理 量子点 量子并行计算 量子信息 组合算符 共振频率 束缚极化子 量子态 
半导体物理
《电子科技文摘》2006年第7期24-24,共1页
关键词：半导体物理 ZNO 发光学报 
半导体物理
《电子科技文摘》2006年第4期31-32,共2页
关键词：量子电子学报 电流 量子涨落 半导体物理 纳米带 信息熵压缩 发光学报 纵光学声子 抛物量子阱 声子耦合 
半导体物理
《电子科技文摘》2006年第2期23-25,共3页
0603288 BLAST MIMO系统载流子频偏估计=Carrier frquency offset estimation in BLAST MIMO systems[刊,英]／M． A．McKeown,D．G．M．Cruickshank／／Electronics Letters.-2003,39(24)．-1752(E)
关键词：频偏估计 振动频率 电子 电流 金属 轻子 金属材料 束缚极化子 半导体物理 量子点 表面和界面 界面电子态 表面电子态 基态能量 
半导体微电子技术与纳米技术
《电子科技文摘》2005年第10期24-31,共8页
0810 半导体物理0524705双等离子体氧化 AlOx 绝缘层磁隧道结=Magnetictunnel junctions with doubly-plasma oxidized AlOx insu-lation layer[刊,英]/Y.M.Lee,O.Song//Microelec-tronics Journal.—2003,34(9).—805-808(E)
关键词：纳米技术 半导体结构 半导体物理 等离子体氧化 量子点 极化子 隧道结 量子阱结构 半导体气敏元件 会议录 
半导体物理
《电子科技文摘》2003年第9期31-32,共2页
Y2002-63436-1 0319699研究学生交换合作建议=Research Student exchangeconsortium pmposal[会,英]/Morris,J.E.//2001 IEEEInternational Spnng Seminar on Electronics Technologyand Concurrent Engineering in EIectronic Packagi...
关键词：半导体物理 Packaging SEMINAR 纳米管 STUDENT 场发射 光学特性 电子封装技术 量子限制效应 量子点 
半导体物理
《电子科技文摘》2003年第7期20-20,共1页
Y2002-63423-412 0314224少数载流子传送的全注入电平传输线模型=All injec-tion level transmission line model of minority-carriertransport[会,英]/Pesic,T.＆ Karamarkovic ,J.//IEEE Region 8 EUROCON’2001-Intemational Confer...
关键词：传输线模型 半导体物理 少数载流子 MINORITY PROCEEDINGS 微电子系统 功能材料 量子点 电学性质 CARLSON 
半导体物理
《电子科技文摘》2003年第6期20-20,共1页
Y2002-63209-118 0311937信息时代的模拟设计=Analog design in the informationage[会,英]/Gilbert,B.//2001 IEEE Proceedings of the2001 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meet-ing.—118～123(TE)0311938调制掺杂型异质结...
关键词：调制掺杂 半导体物理 Gilbert 模拟设计 异质结构 上海大学 固体电子学 李国辉 稀磁半导体 半导体材料 
半导体物理
《电子科技文摘》2003年第5期24-24,共1页
0309472一维有限超品格的电子态与透射问题的转移矩阵方法研究[刊]/廖清华//发光学报.—2003,24(1).—39～43(E)采用转移矩阵方法,研究了一维有限超晶格的电子态与透射问题。计算了一维有限超晶格含单个缺陷层或少量缺陷层的透射谱和波...
关键词：超晶格 半导体物理 缺陷层 发光学报 本征函数 电子态 本征值 定态 转移矩阵 表面极化子 
半导体物理
《电子科技文摘》2003年第4期18-20,共3页
Y2002-63306-314 0307140N 型与 P 型磷化铟表面受 Franz-Keldysh 效应的影响=Influence of a surface on the Franz-Keldysh effect inN-and P-type Indium phosphide[会,英]/Sakai,M.&Kurayama,T.//2001 IEEE International Conferenc...
关键词：磷化铟 半导体物理 多量子阱 SAKAI 晶格匹配 表面研究 分子束外延生长 外延结构 TRENCH 吸收边 
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