NMOS

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应用材料公司新NMOS高性能晶体管创新外延技术
《半导体信息》2013年第4期28-29,共2页江安庆 
新的NMOS(N型金属氧化物半导体)外延沉积工艺对下一代移动处理器芯片内更快的晶体管至关重要应用材料公司在Applied Centura RP Epi系统设备上新开发了一套NMOS晶体管应用技术,继续保持其在外延技术方面十年来的领先地位。该应用技术的...
关键词:NMOS 应用材料公司 外延沉积 外延技术 移动计算 PMOS 处理器芯片 外延工艺 应用技术 芯片 
IBM等开发出面积仅为0.063平方微米的业界最小SRAM单元
《半导体信息》2010年第5期22-22,共1页章从福 
关键词:IBM 金属栅极 电源电压 曝光装置 纳米技术 TOSHIBA NMOS 余度 lithography PMOS 
富士通开发32nm低功耗CMOS技术
《半导体信息》2008年第6期31-31,共1页孙再吉 
关键词:nm 富士通微电子 技术计划 日本富士通 制造工序 电源电压 联合开发 PMOS 微传感器 NMOS 
在(110)单晶硅上获得高性能nFET
《半导体信息》2008年第3期7-8,共2页章从福 
关键词:nFET 电子迁移率 NMOS PMOS 金属栅 栅长 沟道长度 绝缘体上硅 阈值电压 半导体工业 
PolarFab公司推出Polar35工艺新型3.3 V CMOS器件
《半导体信息》2008年第1期19-19,共1页章从福 
关键词:Polar35 PolarFab NMOS PMOS 电路性能 模组 智能电源 瞬态特性 模拟设计 单块 
超晶格沟道能够降低栅极泄漏
《半导体信息》2007年第4期12-12,共1页章从福 
关键词:超晶格结构 半导体制造 光纤放大器 深亚微米 EDFA 技术节点 芯片制造商 光器件 半导体器件 NMOS 
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