NMOS

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不同结构nMOS管的总剂量辐射效应
《半导体技术》2014年第11期861-866,共6页闫旭亮 孟丽娅 袁祥辉 黄友恕 吕果林 
国家自然科学基金资助项目(61071043)
X射线直接成像的CMOS图像传感器由于工作在X射线辐射下,其内部器件会因为辐射效应引起性能恶化,因此需要对器件进行抗辐射加固并研究辐射对器件参数的影响。辐射导致的氧化物陷阱电荷及界面陷阱电荷受到栅氧厚度、偏置电压大小、辐射总...
关键词：NMOS 总剂量辐射 抗辐射加固 漏电流 阈值电压漂移 
可放置于晶圆划片槽的STI应力波动检测电路
《半导体技术》2014年第6期464-468,共5页姜钰 刘宁希 董庆 陈浩 林殷茵 
提出了一个简易的浅沟道隔离(STI)应力波动检测电路。该电路可以放入晶圆片狭长的划片槽中,有利于减小芯片测试成本。采用了双开关管以确保测量精度,并实现了对256个器件参数的同时测量,以得到器件的随机波动特性。设置了一系列具有最...
关键词：检测电路 STI应力 随机波动 饱和电流 NMOS阵列 
一种集成电路高压传输控制电路结构
《半导体技术》2006年第2期149-151,共3页杨庆森 周晓方 
集成电路设计中,用逻辑电平控制高压信号传输的情况很多,而传统的高压传输控制电路的结构过于复杂,版图面积较大且受工艺限制。介绍的电路能有效实现高压信号的传输和控制,且电路结构简单,利用两个NMOS实现了数字信号对高压信号的传输控...
关键词：高压 传输控制 NMOS 
抑制亚微米NMOS穿通效应的Taurus WorkBench——TCAD优化
《半导体技术》2004年第9期12-14,29,共4页李静 李惠军 
Taurus WorkBench是用于超深亚微米层次下的TCAD一体化仿真优化平台。在介绍了TWB的主要功能及实施要点之后,以亚微米NMOSFET器件的阈值电压及源漏穿通电压为响应变量,采用DOE方法进行仿真,并以仿真结果阐述了注入剂量及注入能量对阈值...
关键词：TAURUS WORKBENCH 超深亚微米 TCAD NMOSFET 阈值电压 穿通效应 
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