云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- NMOS

NMOS: 作品数：211被引量：189H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：张佩杰宋克非吴训威韩郑生张鹤鸣更多>>; 相关机构：西安电子科技大学电子科技大学中国科学院中国科学院微电子研究所更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国防科技技术预先研究基金国家重点基础研究发展计划更多>>

基于Multisim14的NMOS场效应管放大电路仿真分析: 《电子技术（上海）》2024年第6期7-9,共3页张华; 阐述Multisim14是一款工业级电子仿真软件,具有灵活的使用方式和强大的功能。在实际教学中,针对场效应管学习的难点,应用Multisim14仿真软件进行虚拟仿真辅助教学,仿真结果说明场效应管放大电路受温度影响很小,使用Multisim14进行仿真...; 关键词：增强型NMOS Multisim14 电路仿真

180 nm嵌入式闪存工艺中高压NMOS器件工艺加固技术: 《物理学报》2022年第23期347-354,共8页陈晓亮孙伟锋; 抗辐射嵌入式闪存工艺在航空航天领域应用广泛,其中高压NMOS器件对总剂量辐射效应最敏感,对该器件进行加固是提高芯片抗辐射能力的关键之一.本文采用浅槽隔离(STI)场区离子注入工艺对180 nm嵌入式闪存工艺中的高压NMOS器件进行加固,实...; 关键词：总剂量辐射效应工艺加固高压器件嵌入式闪存

基于6个NMOS管的SRAM存储原理分析: 《德州学院学报》2021年第6期70-73,78,共5页孙志卓于瑞玲刘利东杨建刘树海孙寿龙; 静态随机存储器(SRAM)是计算机的重要组成部件.基于6个NMOS管的SRAM存储原理分析,涉及较多半导体器件方面的相关知识,由于课时限制等因素,相关教材很少进行深入分析.在授课过程中,部分学生对该内容表现出较强的学习意愿.为此提出一种面...; 关键词：计算机组成原理存储器 SRAM NMOS

SPICE模型的NMOS仿真: 《电子世界》2021年第19期180-181,共2页周月季王健; SPICE模型是由美国加州大学伯克利分校的电子研究实验室于1975年开发出来的一种功能非常强大的通用模拟电路仿真器。利用SPICE模型,可以精确地在电路器件一级,仿真系统的工作特性、验证系统的逻辑功能。本文提出了一种NMOS器件仿真SPIC...; 关键词：波形仿真验证系统仿真系统电路器件逻辑功能模拟电路仿真实验室

一种新型低功耗D锁存器设计: 《无线通信技术》2017年第3期54-59,共6页雷师节邬杨波; 国家自然科学基金(61671259)资助课题; 本文提出了一种新型低功耗D锁存器,通过在直接交叉耦合D锁存器的接地端串联一个由输出反馈控制的NMOS管,部分消除了锁存器状态转换过程中的竞争现象,从而减小了电路的短路功耗,在数据保持阶段由晶体管的堆叠效应降低了电路的漏功耗。标...; 关键词：低功耗 D锁存器 NMOS反馈

A Phase Change Memory Chip Based on Ti Sb Te Alloy in 40-nm Standard CMOS Technology被引量：2: 《Nano-Micro Letters》2015年第2期172-176,共5页Zhitang Song Yi Peng Zhan Daolin Cai Bo Liu Yifeng Chen Jiadong Ren; supported by the‘‘Strategic Priority Research Program’’of the Chinese Academy of Sciences(XDA09020402);National Key Basic Research Program of China(2013CBA01900,2010CB934300,2011CBA00607,2011CB932804);National Integrate Circuit Research Program of China(2009ZX02023-003);National Natural Science Foundation of China(61176122,61106001,61261160500,61376006);Science and Technology Council of Shanghai(12nm0503701,13DZ2295700,12QA1403900,13ZR1447200,14ZR1447500); In this letter, a phase change random access memory(PCRAM) chip based on Ti0.4Sb2Te3 alloy material was fabricated in a 40-nm 4-metal level complementary metal-oxide semiconductor(CMOS) technology. The phase change re...; 关键词：PCRAM Ti0.4Sb2Te3alloy CMOS NMOS

γ辐照前后多栅NMOS转移特性曲线交叉现象机理分析: 《强激光与粒子束》2014年第8期252-256,共5页潘立丁石瑞英龚敏刘杰; 国家自然科学基金项目(61176096); 在研究0.5μm多栅NMOS场效应管γ辐照总剂量效应实验时,发现部分多栅NMOS器件辐照前后的转移特性曲线出现交叉现象,相关的解释鲜见报道。经过分析提出假设:部分多栅NMOS在γ辐照实验过程中各栅极受到剂量不均匀的辐照,导致辐照前后转移...; 关键词：多栅NMOS 转移特性不均匀辐照总剂量效应计算机仿真

IBM等开发出面积仅为0.063平方微米的业界最小SRAM单元: 《半导体信息》2010年第5期22-22,共1页章从福; 关键词：IBM 金属栅极电源电压曝光装置纳米技术 TOSHIBA NMOS 余度 lithography PMOS

网络化医嘱处理系统的实现与应用体会: 《天津护理》2002年第2期98-99,共2页吴玉丽丁蕊金琳; 网络化医嘱处理系统是我院网络中心基于医院管理信息系统环境开发的,并在全院推广应用。整个系统由分布于病房的微机终端开始,借助于医院计算机网络与药房、病人结算中心等相关部门进行连接;以围绕病人治疗过程的医嘱处理和执行为主线,...; 关键词：网络化医嘱处理系统 NMOS 应用医院管理医嘱处理

3B—2T编码技术与nMOS2—3混值电路被引量：1: 《延安大学学报（自然科学版）》1997年第2期47-52,共6页赵小杰吴训威; 本文定义了混值逻辑电路中的编码效率，分析了２—３混值逻辑电路中１Ｂ—２Ｔ编码所存在的缺点，进而提出了３Ｂ—２Ｔ编码方案，研究表明：３Ｂ—２Ｔ编码具有效率高，可充分发挥现有二值数字技术的优点，文中还分别设计了这两种编码...; 关键词：多值逻辑混值电路编码技术 NMOS

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