P-SI

作品数：177被引量：223H指数：7
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Mechanism of oxide thickness and temperature dependent current conduction in n^+-polySi/SiO_2/p-Si structures—a new analysis
《Journal of Semiconductors》2017年第10期50-55,共6页Baoxing Sun Ruobing Xie Cun Yu Cheng Li Hongjie Xu Piyas Samanta 
The conduction mechanism of gate leakage current through thermally grown silicon dioxide（Si02）films on（100） p-type silicon has been investigated in detail under negative bias on the degenerately doped n-type polys...
关键词：FN tunneling PF emission image force lowering trap depth 
Photoelectric characteristics of CH_3NH_3PbI_3/p-Si heterojunction
《Journal of Semiconductors》2016年第5期19-23,共5页吴亚美 杨瑞霞 田汉民 陈帅 
Project supported by the Hebei Province Natural Science Foundation of China(No.F2014202184);the Tianjin Natural Science Foundation of China(No.15JCZDJC37800)
Organic-inorganic hybrid perovskite CH3NH3PbI3 film is prepared on p-type silicon substrate using the one-step solution method to form a CHaNH3PbI3/p-Si heterojunction. The film morphology and structure are characteri...
关键词：perovskite solar cells HETEROJUNCTION CH3NH3PbI3/p-Si I-V C-V 
Radiation effect on the optical and electrical properties of CdSe(In)/p-Si heteroj unction photovoltaic solar cells
《Journal of Semiconductors》2012年第10期1-4,共4页M.Ashry S.Fares 
The efficiency and radiation resistance of solar cells are graded.They are then fabricated in the form of n-CdeSe（In）/p-Si heterojunction cells by electron beam evaporation of a stoichiomteric mixture of CdSe and In...
关键词：n-CdSe（In）/p-Si solar cells performance electron beam radiation effects 
Barrier height and ideality factor dependency on identically produced small Au/p-Si Schottky barrier diodes
《Journal of Semiconductors》2010年第7期16-21,共6页M.A.Yeganeh S.H.Rahmatollahpur 
Small high-quality Au/P-Si Schottky barrier diodes（SBDs） with an extremely low reverse leakage current using wet lithography were produced.Their effective barrier heights（BHs） and ideality factors from current-vol...
关键词：Schottky barrier diodes conducting probe-atomic force microscope barrier height and ideality factor 
P^+-Ge_xSi_(1-x)/P-Si异质结内光发射(HIP)长波长红外探测器结构的改进及其在77K下的特性被引量：1
《Journal of Semiconductors》1997年第6期436-440,共5页王瑞忠 陈培毅 钱佩信 罗广礼 张镭 郑康立 周均铭 
本文对P+GexSi1-x／P－Si异质结内光发射长波长红外探测器的电极结构进行了改进，并在国内首次报道了这种器件在77K下的电学特性和光学响应特性。
关键词：红外探测器 长波长 结构 HIP 
热壁外延制备的n－PbTe／p－Si异质结特性研究
《Journal of Semiconductors》1995年第8期594-597,共4页杨玉琨 李文明 于磊 杨易 徐立兴 熊欣 王善力 黄和鸾 
半导体超晶格国家重点实验室资助
本文报道了首次用热壁外延（ＨＷＥ）方法，在Ｓｉ（１００）衬底上，制备ｎ－ＰｂＴｅ／ｐ－Ｓｉ异质结的工艺及测试结果．由Ｘ－射线衍射谱确认，ＰｂＴｅ外延层是单晶，Ｉ－Ｖ曲线表明，该异质具有良好的整流特性．由Ｃ－Ｖ测量得到...
关键词：碲化铅 异质结 热壁外延 硅 
B^+、P^+离子注入p-Si中产生的缺陷及其退火特性的DLTS研究
《Journal of Semiconductors》1991年第2期93-100,共8页孙璟兰 李名复 陈建新 
用电容及电流DLTS方法测量了B^+、P^+离子注入掺硼p-Si中引进的空穴缺陷能级及其退火行为.在两种离子注入样品中都测到的空穴陷阱有七个,除了常见的辐照缺陷V.O.C受主H_4(0.35)、V.O.B复合团H_5(0.29)及V_2^+双空位单受主H_(72)(0.21)外...
关键词：离子注入 P-SI 空穴缺陷 DLTS 退火 
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