PIN光电探测器

作品数：46被引量：126H指数：6
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硅基锗PIN光电探测器的研究进展被引量：6
《半导体光电》2022年第2期261-266,共6页刘智 成步文 
国家重点研发计划项目(2017YFA0206404,2020YFB2206103)。
随着硅基锗薄膜外延技术的突破,基于硅基锗材料的光电子器件快速发展,其中以硅基锗光电探测器最为突出。由于锗可以实现近红外通信波段的光吸收,而且完全兼容硅的CMOS工艺,硅基锗探测器几乎成为硅基光探测的唯一选择。文章主要介绍了面...
关键词：硅基锗探测器 面入射 波导耦合 
Si基PIN光电探测器电场隔离结构对暗电流的影响被引量：4
《半导体光电》2017年第6期802-805,共4页丰亚洁 何晓颖 刘巧莉 王华强 李冲 胡宗海 郭霞 
国家自然科学基金项目(61335004;61675046;61505003);国家"973"计划项目(2016YFB0400603);国家"863"计划项目(2015AA017101)
对Si基PIN光电探测器的电场隔离结构进行了研究,讨论了电场隔离结构的作用以及其与暗电流的关系,并进行了仿真模拟与测试分析。电场隔离结构主要将有源区和边缘隔离从而降低暗电流,结合仿真模拟结果和实验测试结果,分析得到电场隔离结...
关键词：Si基光电探测器 电场隔离结构 暗电流 
基于OrCad软件的PIN光电探测器的Pspice建模仿真分析被引量：1
《半导体光电》2015年第2期202-204,共3页彭晨 但伟 王波 
利用OrCad软件的Model Editor模块建立了PIN光电探测器的Pspice仿真模型,对比分析了PIN光电探测器的实验数据与仿真数据,对PIN光电探测器仿真模型进行修正。最终建立了可用于电路仿真的PIN光电探测器的Pspice模型,该模型有助于设计人员...
关键词：PIN光电探测器 电路仿真 Pspice仿真模型 
硅基PIN光电探测器结构参数对其性能的影响被引量：4
《半导体光电》2013年第3期379-382,共4页王巍 白晨旭 冯其 武逶 冯世娟 王振 
对硅基PIN光电探测器器件模型进行了理论分析,讨论了硅基PIN光电探测器的I-V特性与器件的i层厚度和整体宽度的变化关系,并进行了仿真分析。实验结果表明,随着i层厚度从5μm增加到70μm,器件的正向电流逐步减小,且i层厚度与其正向电流成...
关键词：硅基PIN 光电探测器 器件结构参数 I-V特性 
双异质结扩展波长InGaAs PIN光电探测器暗电流研究被引量：2
《半导体光电》2009年第6期807-810,822,共5页李成 李好斯白音 李耀耀 王凯 顾溢 张永刚 
国家"973"计划项目(2006CB604903);国家自然科学基金项目(60876034)
模拟分析了三种不同结构的双异质结扩展波长In0.78Ga0.22As PIN光电探测器在室温下的暗电流特性,并与器件的实际测量结果进行了比较和讨论。结果表明,对于扩展波长的探测器,零偏压附近暗电流主要为反向扩散电流,随着反向偏压增加,产生...
关键词：探测器 暗电流 数字递变超晶格 INGAAS 
AlInGaN/GaN PIN紫外光电探测器的研制被引量：2
《半导体光电》2008年第5期669-672,708,共5页黄瑾 洪灵愿 刘宝林 张保平 
国家自然科学基金项目(60276029);国家'863'计划项目(2004AA311020;2006AA032409);福建省科技项目和基金项目(2006H0092;A0210006;2005HZ1018)
用AlInGaN四元合金代替AlGaN作为PIN探测器的有源层,研制出AlInGaNPIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对器件进行了光电性能测试。测试结果表明,器件的正向开启电压约为1.5 V,反向击穿电压大于40 V;室温-5 V偏压下...
关键词：AlInGaN/GaN PIN光电探测器 紫外光电探测器 
硅PIN光电探测器光电特性的模拟计算被引量：3
《半导体光电》2005年第B03期53-55,59,共4页张卓勋 谭千里 肖灿 孙诗 
采用计算机数值分析软件对硅PIN光电探测器的光电特性进行了研究；对硅PIN光电探测器的结构及电势分布作了详细讨论．同时讨论了其正向特性、反向特性和光敏特性。这对了解和改进器件特性有重要作用。
关键词：模拟计算 光电特性 光电探测器 硅 
InGaAs PIN光电探测器的暗电流特性研究被引量：22
《半导体光电》2004年第5期341-344,379,共5页郝国强 张永刚 刘天东 李爱珍 
国家"973"计划资助项目(G20000683)
　从理论上分析了In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器在不同掺杂浓度及反向偏压下的暗电流特性,并与研制的器件的实测结果进行了比较和讨论。模拟结果表明:在低偏压下,器件中的产生复合电流起主要作用,偏压增大时,隧道电流起主要作用,且In0.53...
关键词：光电探测器 暗电流 INGAAS 化合物半导体 
光通信波段超高速PIN光电探测器的新进展被引量：2
《半导体光电》2001年第4期227-232,共6页刘家洲 李爱珍 张永刚 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (G2 0 0 0 0 6 83)
对自 2 0世纪 90年代以来在InGaAsPIN超高速光电探测器的研究上所取得的进展进行了综述 ,介绍了传统型的面入射光电探测器、波导型光电探测器、渐变耦合型光电探测器、小平面折射型光电探测器、反射型光电探测器和单极型光电探测器等的...
关键词：超高速光电探测器 化合物半导体 INGAAS 
JM－2型背照式PIN光电探测器对位显微监视系统
《半导体光电》1996年第3期278-279,共2页吕家梅 
文章介绍了ＪＭ－２型背照式ＰＩＮ光电探测器对位显微监视系统（以下简称ＪＭ－２型对位系统）的工作原理，以及在烧结工艺上的应用和实验结果，其工艺精度可达０．
关键词：显微监视系统 PIN光电探测器 
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