P型GAN

作品数：29被引量：48H指数：4
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：韩军邢艳辉董建新杨志坚赵德刚更多>>
相关机构：中国科学院西安电子科技大学北京工业大学电子科技大学更多>>
相关期刊：《高技术通讯》《半导体技术》《发光学报》《物理学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=半导体技术x
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
高掺杂低位错p型GaN材料生长研究
《半导体技术》2024年第8期702-707,共6页高楠 房玉龙 王波 韩颖 张志荣 尹甲运 刘超 
对采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在SiC衬底上生长的p型GaN材料进行了研究。p型GaN材料通常采用Mg掺杂来实现,但Mg有效掺杂量的增加会导致材料的空穴浓度提高,表面粗糙度变大、位错密度增加。采用Delta掺杂方式,在Cp_(2)Mg通入量一...
关键词：金属有机化学气相沉积(MOCVD) Delta掺杂 P型GAN 空穴浓度 半高宽(FWHM) 
非极性a面p型GaN∶Mn薄膜的结构、形貌和铁磁性质
《半导体技术》2008年第S1期127-128,139,共3页孙莉莉 闫发旺 张会肖 王军喜 曾一平 王国宏 李晋闽 
国家自然科学基金(60876068);留学回国人员科研启动基金(08y1010000)
采用离子注入和快速退火技术制备了稀磁非极性a面p型GaN∶Mn薄膜。通过高分辨X射线衍射、原子力显微镜和超导量子干涉仪等测试手段,对样品的结构、形貌和磁性质进行了分析。测试分析结果表明,在退火过程中生成了对样品的铁磁性质起重要...
关键词：稀磁半导体 非极性a面p-GaN 离子注入 室温铁磁性 
p型GaN欧姆接触的研究进展被引量：6
《半导体技术》2004年第8期15-18,33,共5页潘群峰 刘宝林 
国家自然科学基金项目(60276029);福建省自然科学基金项目(A0210006)
宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几个问题,回顾了近年来p型GaN欧姆接触的研究进展。
关键词：宽带隙 GAN 欧姆接触 表面预处理 合金化处理 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部