RIE

作品数：232被引量：392H指数：9
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场发射硅锥阵列的干法制备与研究被引量：2
《微细加工技术》2006年第1期56-60,共5页王芸 徐东 吴茂松 王莉 钱开友 叶枝灿 蔡炳初 
阐述了用于场发射压力传感器发射阴极的硅锥阵列的干法制备工艺,用反应离子刻蚀(RIE)的方法在76 mm(3 in.)的低阻硅片上制备出52个均匀分布的10×12的硅锥阵列,得到了曲率半径为25 nm^35 nm且具有良好一致性的尖锥。当阵列的场发射起始...
关键词：硅锥 干法刻蚀 RIE 场发射 
反应离子刻蚀PMMA的各向异性刻蚀研究被引量：2
《微细加工技术》2002年第4期54-57,共4页黄龙旺 杨春生 丁桂甫 
国家自然科学基金资助项目 (5 0 0 75 0 5 5 )
研究目的是优化Ni掩模PMMARIE的刻蚀参数 ,在氧刻蚀气体中加入表面钝化性气体CHF3 ,以较快的刻蚀速率获得垂直的侧壁和最小的掩模钻蚀。采用平行板结构的反应离子刻蚀机刻蚀 ,研究了刻蚀气压、CHF3 /O2 比率和刻蚀温度对垂直、侧向刻蚀...
关键词：反应离子刻蚀 PMMA 各向异性 RIE 干法刻蚀 
CVD金刚石薄膜RIE掩模技术研究被引量：6
《微细加工技术》2001年第3期74-80,共7页丁桂甫 俞爱斌 赵小林 姚翔 沈天慧 
金刚石薄膜反应离子刻蚀 (RIE)必须选用硬掩模 ,基于掩模刻蚀选择比和掩模图形化加工特性考虑 ,镍和镍钛合金掩模是较好选择 ,其中 ,NiTi合金薄膜具有刻蚀选择比高、加工工艺简单、图形化效果好的优势 ,Ni掩模特别是电镀方法制作的Ni掩...
关键词：金刚石薄膜 反应离子刻蚀 掩模 
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