SI(111)衬底

作品数：41被引量：90H指数：6
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：郑有炓韩平张荣徐彭寿修向前更多>>
相关机构：中国科学院南京大学中国科学技术大学浙江大学更多>>
相关期刊：《高技术通讯》《功能材料》《红外与毫米波学报》《无机材料学报》更多>>
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硅衬底InGaN多量子阱材料生长及LED研制被引量：9
《高技术通讯》2005年第5期58-61,共4页莫春兰 方文卿 刘和初 周毛兴 江风益 
国家高技术研究发展计划(863计划)，信息产业部电子信息产业发展基金
利用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在Si(111)衬底上生长了InGaN 多量子阱LED外延片.为克服GaN与Si衬底之间巨大的晶格失配与热失配,引入了AlN低温缓冲层及富镓的GaN高温缓冲层,在Si(111)衬底上获得了无龟裂的InGaN 多量子阱LED...
关键词：INGAN 多量子阱 LED 材料生长 SI(111)衬底 低压金属有机化学气相沉积 硅衬底 研制 反向漏电流 晶格失配 SI衬底 外延材料 工作电压 发光波长 外延片 缓冲层 IED 热失配 AIN 管芯 
Si(111)衬底上3C-SiC的超低压低温外延生长
《高技术通讯》2002年第11期65-66,11,共3页严飞 郑有炓 陈平 孙澜 顾书林 朱顺明 李雪飞 韩平 
973规划 (G2 0 0 0 0 683 );国家自然科学基金 (60 13 60 2 0 )资助项目
研究发展了一种Si衬底上低温外延生长 3C SiC的方法。采用LPCVD生长系统 ,以SiH4 和C2 H4 为气源 ,在超低压 (30Pa)、低温 (90 0℃ )的条件下 ,在Si(111)衬底上外延生长出了高质量的 3C SiC薄膜材料。采用俄歇能谱 (AES)、X射线衍射 (X...
关键词：SI(111)衬底 3C-SIC 超低压低温外延生长 碳化硅 异质外延生长 低压化学气相淀积 半导体材料 
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