T型栅

作品数：26被引量：15H指数：2
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：冯志红叶甜春张海英谢常青吕元杰更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所中国电子科技集团第十三研究所西安电子科技大学成都海威华芯科技有限公司更多>>
相关期刊：《北京同步辐射装置年报》《半导体技术》《集成电路与嵌入式系统》《固体电子学研究与进展》更多>>
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Ku波段20W GaAs功率PHEMT
《Journal of Semiconductors》2006年第10期1804-1807,共4页钟世昌 陈堂胜 
报道了采用介质辅助T型栅工艺研制的GaAs功率PHEMT．在该T型栅工艺中栅长和栅帽的尺寸分别进行控制，实现了较好的工艺可控性和较高的工艺成品率．采用该工艺制作了总栅宽为19．2mm的功率PHEMT．用两枚这种芯片合成并研制的Ku波段内匹...
关键词：T型栅 GAAS PHEMT 内匹配 
用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅被引量：3
《Journal of Semiconductors》2004年第3期358-360,共3页孙加兴 叶甜春 陈大鹏 谢常青 伊福庭 
采用三层胶工艺 X射线光刻制作 T型栅 ,一次曝光 ,分步显影 ,基本解决了不同胶层间互融的问题 .该方法制作效率高 ,所制作的 T型栅形貌好 ,头脚比例可控 ,基本满足器件制作要求 .
关键词：X射线光刻 PHEMT T型栅 三层胶工艺 
0.1μmT型栅PHEMT器件被引量：5
《Journal of Semiconductors》2001年第4期476-480,共5页郑英奎 刘明 和致经 吴德馨 
通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法 ,并利用复合胶结构 ,一次电子束曝光制作出具有 T型栅的 PHEMT器件 ,并对 0 .1μm栅长 PHEMT器件的整套工艺及器件性能进行了研究 .形成了一整套具有新特点的PHEMT器件制作工艺 ,获得了良...
关键词：二维电子气 电子束光刻 混合曝光 PHEMT T型栅 异质结晶体管 
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