AIGAAS

作品数：8被引量：1H指数：1
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相关机构：中国科学院中国科学院微电子研究所电子科技大学中国科学院大学更多>>
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Tuning the second-harmonic generation in AlGaAs nanodimers via non-radiative state optimization [Invited]被引量：1
《Photonics Research》2018年第5期I0031-I0037,共7页DAVIDE Rocco VALERIO F.GILI LAVINIA GHIRARDINI LUCA CARLETTI IVAN FAVERO ANDREA LOCATELLI GIUSEPPE MARINO DRAGOMIR N.NESHEV MICHELE CELEBRANO MARCO FINAZZI GIUSEPPE LEO COSTANTINO DE ANGELIS 
Australian Research Council(ARC);Education,Audiovisual and Culture Executive Agency(EACEA)(5659/002-001);SATT IdF-Innov UniversitéSorbonne(Double Culture-PhD program)
Dielectric nanocavities are emerging as a versatile and powerful tool for the linear and nonlinear manipulation of light at the nanoscale. In this work, we exploit the effective coupling of electric and toroidal modes...
关键词：Tuning the second-harmonic generation AIGaAs nanodimers via non-radiative state OPTIMIZATION 
Determining the Effective Refractive Index of AIGaAs-GaAs Slab Waveguide Based on Analytical and Finite Difference Method
《Journal of Physical Science and Application》2012年第9期381-385,共5页All Cetin Ercan Ucgun M .Selami Kilickaya 
Optical waveguide is the main element in integrated optics. Therefore many numerical methods are used on these elements of integrated optics. Simulation response of an optical slab waveguide used in integrated optics ...
关键词：Numerical approximation and analysis computational techniques simulations optical constants. 
Optical and morphological properties of InGaAs/AlGaAs self-assembled quantum dot nanostructures for 980 nm room temperature emission
《Optoelectronics Letters》2007年第3期161-164,共4页G. Trevisi P. Frigeri M. Minelli P. Allegri V. Avanzini S. Franchi 
The work has been partially supported by the "SANDiE" Networkof Excellence of EU (contract No. NMP4-CT-2004-500101).
This work deals with the study of optical and morphological properties of InGaAs/AlGaAs quantum dot(QD) structures grown by molecular beam epitaxy(MBE) . Photoluminescence(PL) emission energies,activation energies of ...
关键词：INGAAS AIGAAS 自组装量子点 纳米结构 室温发光 光学性质 形态 
Abstraction of Small Signal Equivalent Circuit Parameters of Enhancement-Mode InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT
《Journal of Semiconductors》2007年第3期361-364,共4页徐静波 尹军舰 张海英 李潇 刘亮 叶甜春 
国家自然科学基金(批准号:60276021);国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311901)资助项目
An extraction method of the component parameter values of an enhancement-mode InGaP/AIGaAs/In-GaAs PHEMT small signal equivalent circuit is presented,and these component parameter values are extracted by using the EEH...
关键词：ENHANCEMENT-MODE InGaP/AIGaAs/InGaAs PHEMT small signal equivalent circuit parameter extraction 
半导体技术
《中国无线电电子学文摘》1999年第3期42-51,共10页
关键词：半导体器件 半导体技术 电子科技大学学报 微电子 西安电子科技大学 AIGAAS 中国科学院 热载流子效应 光致发光谱 多孔硅 
半导体技术
《中国无线电电子学文摘》1995年第5期33-45,共13页
关键词：半导体技术 调制掺杂异质结构 数据采集系统 旋转式机械设备 中国科学院 微电子学 散射机理 电子浓度 电子气 AIGAAS 
δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AIGaAs/InGaAs/GaAs结构中的费密边奇异性研究
《物理学报》1995年第5期825-831,共7页沈文忠 唐文国 沈学础 A.DIMOULAS 
报道了δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al_(0.30)Ga_(0.70)As/In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs的光致发光光谱研究的实验结果,除了观察到n=1电子子带到n=1重空穴子带,n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,还观察到了n=1电子子带到n=1...
关键词：ALGAAS 砷化镓 晶体管 费密边奇异性 
δ掺杂的赝配HEMTAlGaAs／InGaAs／GaAs结构的光电流谱
《Journal of Semiconductors》1995年第2期107-112,共6页沈文忠 黄醒良 唐文国 李自元 沈学础 
本文首次报道了δ掺杂的赝配高电子迁移率晶体管结构（ＨＥＭＴＳ）Ａｌ０．３０Ｇａ０．７０Ａｓ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ的光电流谱研究．实验观察到了ｎ＝１重空穴子带到ｎ＝１电子子带和ｎ＝２电子子带的激子吸收...
关键词：晶体管 HEMT 光电流谱 AIGAAS INGAAS 砷化镓 
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