ALGAINP

作品数：115被引量：162H指数：6
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基于金属背支撑刻蚀技术的柔性AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池研制被引量：2
《半导体光电》2016年第5期688-693,共6页卢建娅 谭明 杨文献 陆书龙 张玮 黄健 
国家自然科学基金项目(61176128;61404157;61534008);国家"863"计划项目(2013AA050403);苏州市应用基础基金项目(SYG201437)
对柔性GaAs基太阳电池的制备方法进行研究,报道了一种用于制备柔性倒置生长的AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池的剥离和转移方法——金属背支撑选择性湿法刻蚀技术。在GaAs/GaInP选择性腐蚀的基础上进行了GaAs衬底层的腐蚀,研究了不同...
关键词：AlGaInP/AlGaAs/GaAs 太阳电池 柔性薄膜 湿法腐蚀 重量比功率 
Au-CNT对AlGaInP LED的电流扩展效应研究
《半导体光电》2015年第1期48-51,共4页陈宇 郭春威 郭霞 
国家自然科学基金项目(61222501;61335004);高等学校博士学科点专项科研基金项目(20111103110019)
通过对AlGaInP LED器件进行电流分布模拟,得出电流扩展长度与注入电流和电流扩展层方块电阻之间的变化关系。实验制备出带有Au纳米颗粒的碳纳米管(Au-CNT)作为电流扩展层的LED器件,20mA电流下,测得其光功率比无扩展层器件提升了33%。模...
关键词：Au纳米颗粒 碳纳米管 电流扩展 
湿法表面粗化提高倒装AlGaInP LED外量子效率被引量：3
《半导体光电》2012年第2期188-190,193,共4页白继锋 高欣 薄报学 黄尊祥 陈凯轩 马祥柱 
国家自然科学基金项目(61177019,61179048)
介绍了一种利用盐酸、磷酸混合液对不同Al组分(AlxGa1-x)0.5In0.5P的选择性腐蚀特性对倒装AlGaInP红光LED进行表面粗化的方法。通过向粗化层GaInP加入适量的Al,在Al组分为0.4时,利用体积比为1∶10的HCl∶H3PO4可以得到横向尺寸约为60nm...
关键词：ALGAINP 选择性腐蚀 湿法腐蚀 表面粗化 外量子效率 
一种计算异质结价带与导带阶跃的简便方法被引量：2
《半导体光电》2001年第2期147-148,共2页文尚胜 范广涵 廖常俊 刘颂豪 
利用带隙经验公式、LCAO方法以及韦加定律 ,提出了一种计算AlGaInP异质结价带与导带阶跃的方法。该方法具有简便。
关键词：异质结 价带阶跃 导带阶跃 ALGAINP 
Al_xGa_(0.51-x)In_(0.49)P光学性质的研究被引量：1
《半导体光电》2000年第2期111-114,共4页连洁 张淑芝 卢菲 魏爱俭 黄伯标 崔德良 秦晓燕 王海涛 
"8 6 3"资助项目!(86 3- 715 - 0 0 1- 0 171)
用MOCVD方法在GaAs衬底上生长了AlGaInP的本征及掺Si或掺Mg三个样品。用椭偏光谱法测量了样品在室温下可见光区的光学常数 ,并求其介电函数的三级微商谱。用三点比例内插法分析介电函数的三级微商谱 ,精确地得到样品的带隙Eg、Eg+Δ0 以...
关键词：ALGAINP 光学性质 砷化镓 光学性质 MOCVD 
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