CMOS低噪声放大器

作品数：74被引量：135H指数：5
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一种5~6 GHz宽带全集成CMOS低噪声放大器被引量：1
《微电子学》2022年第3期358-362,共5页桂小琰 赵振 常天海 任志雄 景磊 王祥 
中国-北马其顿科技合作委员会第六届例会交流项目(6-6)。
采用55 nm标准CMOS工艺,设计并流片实现了一种应用于Wi-Fi 6(5 GHz)频段的宽带全集成CMOS低噪声放大器(LNA)芯片,包括源极退化共源共栅放大器、负载Balun及增益切换单元。在该设计中,所有电感均为片上实现;采用Balun负载,实现信号的单...
关键词：低噪声放大器 巴伦 高低增益模式 Wi-Fi 6 
基于负电容补偿技术的CMOS低噪声放大器设计
《微电子学》2012年第3期318-322,326,共6页舒应超 赵吉祥 李云峰 
浙江省自然科学基金资助项目"无线通信系统无源互调产生机理及测试方法研究"(Y1110082)
利用负电容电路补偿技术,设计了一个工作于2.4GHz频段的差分低噪声放大器。基于CHRT 0.25μm RF CMOS工艺,对电路进行仿真。与传统的共源共栅结构相比,引入负电容电路对共源管的栅漏寄生电容进行补偿,可以使放大器的匹配度、噪声系数、...
关键词：低噪声放大器 负电容电路 CMOS 
一种可切换的双频段CMOS低噪声放大器被引量：5
《微电子学》2010年第2期217-221,共5页武振宇 马成炎 叶甜春 庄海孝 
基于0.18μm RF CMOS工艺,设计了一种可切换的双频段CMOS低噪声放大器,其输入输出均匹配到50Ω。加入封装、ESD电路和PAD模型,采用Cadence Spectre RF进行仿真。结果显示,在1.8 V工作电压下,1.575 GHz输入时,LNA的噪声系数、功率增益和...
关键词：CMOS 低噪声放大器 双频段 
2.45 GHz 0.18μm全差分CMOS低噪声放大器设计被引量：5
《微电子学》2009年第6期773-777,共5页齐凯 蔡理 
设计了一个基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的2.45 GHz全差分CMOS低噪声放大器。根据电路结构特点,采用图解法对LNA进行功耗约束下的噪声优化,以选取最优的晶体管栅宽;设计了仅消耗15μA电流的偏置电路;采用在输入级增加电容的方法,在改善输...
关键词：低噪声放大器 噪声优化 输入匹配 偏置电路 
无线应用CMOS低噪声放大器的设计
《微电子学》2008年第2期267-270,共4页李江涛 周平 
重庆市教育委员会基金资助项目(KJ070502)
基于射频CMOS集成电路技术,设计出用于无线通信系统的CMOS低噪声放大器。对影响其增益、噪声系数的阻抗匹配进行了分析。采用TSMC的0.35μm射频工艺库,在ADS仿真平台上对低噪声放大器电路进行了仿真。其中,低噪声放大器设计成差分结构,...
关键词：射频前端 宽带低噪声放大器 噪声系数 线性度 
一种双频段CMOS低噪声放大器被引量：5
《微电子学》2007年第3期403-406,共4页殷吉辉 杨华中 
国家自然科学基金资助项目(90307016)
描述了一个可同时处理输入信号在937.5 MHz和408 MHz频段,应用于数字对讲机射频前端的双频段CMOS低噪声放大器(LNA)。所有的输入输出都被匹配到50Ω。芯片采用0.18μmCMOS工艺制造。仿真结果显示,在1.5 V供电电压下,937.5 MHz时,LNA的...
关键词：低噪声放大器 CMOS 双频段 射频前端 
UHF RFID阅读器中的堆叠式CMOS LNA设计被引量：6
《微电子学》2007年第2期246-249,254,共5页张润曦 石春琦 吴岳婷 赖宗声 曹丰文 
上海市科学技术委员会基金资助项目(AM0513)
提出了一种基于0.25μm标准CMOS工艺,可用于UHF RFID(超高频射频识别)阅读器前端的低噪声放大器。根据低噪声放大器的匹配、噪声和增益分析,结合射频识别系统的理论计算,提出堆叠器件的电路结构达到电流复用,以降低功耗并保证增益。测...
关键词：超高频射频识别 阅读器 堆叠式 CMOS低噪声放大器 
超宽带CMOS低噪声放大器的设计被引量：6
《微电子学》2006年第5期688-692,共5页罗志勇 李巍 任俊彦 
部委基金资助项目(51408060905JW0702)
设计了一种应用于3．1～5．2GHz频段超宽带系统接收机的差分低噪声放大器，采用前置切比雪夫（Chebyshev）2阶LCladder带通滤波器的并联负反馈结构，详细分析了其输入宽带阻抗匹配特性和噪声特性。仿真基于TSMC0．18μmRFCMOS工艺。结...
关键词：超宽带 低噪声放大器 并联负反馈 切比雪夫滤波器 
1.9GHz CMOS低噪声放大器的结构分析与设计被引量：3
《微电子学》2006年第2期220-224,共5页李志升 李巍 胡嘉盛 苏彦锋 任俊彦 
上海市信息委/经委2003年促进整机业与集成电路设计联动专项资助项目(04-联专-004)
对低噪声放大器(LNA)的结构及性能进行了详细的分析。采用SMIC 0.18μm射频CMOS工艺,设计了用于GSM1900无线接收机系统的两种不同结构的差动式LNA(电流复用式PMOS-NMOS LNA)和典型的NMOS LNA。利用Cadence-SpectreRFTM,对这两种结构的LN...
关键词：GSM射频 低噪声放大器 线性度 阻抗匹配 
一种3.8 GHz 0.25 μm CMOS低噪声放大器的设计被引量：3
《微电子学》2006年第1期101-104,共4页王磊 余宁梅 
日本OKI公司资助项目
从优化电路结构出发,提出并设计了一种工作于3.8 GHz的低噪声放大器。与传统级联结构相比,该电路引入了级间匹配网络。级间匹配网络的实现,可以使整个电路的功率增益、噪声系数等关键性能指标得到改善。电路采用0.25μm RF CMOS工艺制作...
关键词：CMOS 低噪声放大器 级间匹配网络 片上螺旋电感 噪声系数 
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