CMP工艺

作品数：32被引量：96H指数：6
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相关作者：陈岚徐勤志刘玉岭孙艳牛新环更多>>
相关机构：河北工业大学中国科学院微电子研究所无锡华润上华科技有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>
相关期刊：《半导体技术》《电子元件与材料》《半导体信息》《电子工业专用设备》更多>>
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表面活性剂在集成电路多层布线CMP工艺中的应用研究被引量：1
《润滑与密封》2024年第1期155-162,共8页占妮 牛新环 闫晗 罗付 屈明慧 刘江皓 邹毅达 周建伟 
国家02重大专项(2016ZX02301003-004_007);国家自然科学基金项目(62074049);河北省自然科学基金项目(F2021202009)。
随着集成电路(IC)特征尺寸不断缩小,集成电路多层布线加工精度面临更高的要求,而化学机械抛光(CMP)凭借化学腐蚀和机械磨削的耦合协同作用,成为实现晶圆局部和全局平坦化的唯一可靠技术。抛光液作为CMP工艺中关键要素之一,其主要成分表...
关键词：表面活性剂 化学机械抛光 多层布线 集成电路 抛光液 
铜互连CMP工艺中缓蚀剂应用的研究进展被引量：3
《润滑与密封》2022年第12期164-171,共8页闫晗 牛新环 张银婵 朱烨博 侯子阳 屈明慧 罗付 
国家02重大专项(2016ZX02301003-004_007);天津市自然科学基金项目(16JCYBJC16100);河北省自然科学基金项目(F2021202009)。
抛光液是铜互连CMP的关键要素之一,在CMP中每种成分发挥不同的功能,其中缓蚀剂的选择及性能对抛后的表面质量会产生直接影响。对近年来铜互连CMP中各类缓蚀剂的研究进展以及缓蚀剂与不同类型添加剂间的复配协同进行归纳总结,同时介绍缓...
关键词：铜互连 化学机械抛光 缓蚀剂 集成电路 
雾化施液CMP工艺及材料去除机制研究被引量：9
《润滑与密封》2014年第2期56-60,共5页王陈 李庆忠 朱仌 闫俊霞 
国家自然科学基金项目(51175228)
介绍通过雾化供液方式进行化学机械抛光(CMP)的工作原理以及试验装置设计,通过雾化供液抛光工艺试验考察该方法的抛光效果,分析其材料去除机制。结果表明,雾化施液CMP方法的抛光浆料利用率高,在达到去除率为257.5 nm/min,表面粗糙度小于...
关键词：雾化施液 CMP 工艺试验 材料去除机制 
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