FD-SOI

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基于FD-SOI的毫米波和射频/模拟解决方案
《今日电子》2017年第11期70-70,共1页
格芯(GLOBALFOUNDRIES)宣布推出面向下一代无线和物联网芯片的射频/模拟PDK(22FDX-rfa)解决方案,以及面向5G、汽车雷达、WiGig、卫星通信及无线回传等新兴高容量应用的毫米波PDK(22FDX-mmWave)解决方案。
关键词:毫米波 射频 拟解 汽车雷达 卫星通信 物联网 高容量 无线 
格罗方德半导体推出12nm FD-SOI工艺,拓展FDX路线图
《今日电子》2016年第10期29-29,共1页
格罗方德半导体日前发布了全新的12nmFD-SOI半导体工艺平台12FDXTM,实现了业内首个多节点FD—SOI路线图。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上,专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等备类应用智能系...
关键词:半导体工艺 SOI工艺 路线图 无人驾驶汽车 移动计算 人工智能 智能系统 平台 
Soitec半导体公司和FD-SOI技术:选择理想的企业和技术,助力中国创新蓝图
《今日电子》2016年第4期51-51,共1页
绝缘硅(SOI)晶圆制造商法国Soitec半导体公司在北京举办的新闻发布会中介绍了该公司在中国市场的发展历史、全耗尽绝缘硅(FD-SOI)基板的成熟性和生产及准备状态、FD-SOI的最新进展及其生态系统。会上主要讨论的问题包括该技术是否...
关键词:SOI技术 半导体公司 中国市场 半导体行业 企业 理想 创新 新闻发布会 
守得云开,FD-SOI工艺迎来爆发期
《今日电子》2016年第4期24-24,共1页
FD-SOI(全耗尽绝缘硅)是指一种平面晶体管结构。这种平面架构是通过在绝缘硅片晶圆超薄的绝缘氧化埋层(BOX)上再生长一层超薄的单晶硅层来实现的。由于采用超薄硅层,所以不需要沟道掺杂,使晶体管得以全耗尽。此外,薄氧化埋层使得基...
关键词:SOI工艺 绝缘硅片 爆发 大规模集成 SOI结构 晶体管 沟道掺杂 摩尔定律 
采用FD-SOI技术的LTE modem和应用处理器高集成平台
《今日电子》2013年第2期64-64,共1页
NovaThor L8580 ModAp是一款支持LTE多模的智能手机平台,它整合了全套的无线连接(connectivity)功能,并且拥有速率可达2.5GHz的eQuadTM应用处理器。
关键词:应用处理器 LTE SOI技术 MODEM 集成平台 手机平台 无线连接 
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