FD-SOI

作品数：44被引量：21H指数：3
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相关作者：曾传滨高林春罗家俊李晓静韩郑生更多>>
相关机构：上海功成半导体科技有限公司中国科学院中国科学院大学中国科学院微电子研究所更多>>
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28 nm超薄体FD-SOI高温特性研究被引量：2
《微电子学》2021年第4期577-581,共5页张颢译 曾传滨 李晓静 高林春 罗家俊 韩郑生 
国家自然基金青年基金项目(61804168)。
研究了低阈值电压(LVT)结构的28 nm超薄体全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)MOSFET的高温下特性。在300℃下对器件进行测试,将FD-SOI与部分耗尽(PD)SOI进行参数对比。结合理论分析,证明了高温下超薄体FD-SOI具有比PD-SOI更低的阈值电压漂移率和...
关键词：高温器件 阈值电压 亚阈值摆幅 超薄体FD-SOI 
22nm FD-SOI 静态随机存储器的可靠性研究
《微电子学》2021年第1期137-141,共5页贺泽 蔡畅 赵凯 赵培雄 李东青 刘天奇 刘杰 
国家自然科学基金资助项目(11690041)。
针对22 nm FD-SOI CMOS工艺静态随机存储器(SRAM),研究了工艺角、工作电压、测试温度、总剂量效应对器件性能的影响。通过自动测试设备(ATE),有效地提取了FD-SOI存储器在多种测试环境下的电学性能参数。测试结果表明,不同的工艺角对输...
关键词：全耗尽绝缘体上硅 静态随机存储器 可靠性 
SOI在射频电路中的应用被引量：2
《微电子学》2005年第1期67-70,共4页骆苏华 刘卫丽 张苗 狄增峰 王石冶 宋志棠 孙晓玮 林成鲁 
上海市纳米技术专项资助项目(052nm084)国家重点基础研究发展计划资助项目(G2000036506)国家自然科学基金资助项目(90101012)
随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的 兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示...
关键词：射频集成电路 高阻SOI FD-SOI CMOS SIMOX 
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