FD-SOI

作品数：44被引量：21H指数：3
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相关机构：上海功成半导体科技有限公司中国科学院中国科学院大学中国科学院微电子研究所更多>>
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FD-SOI技术产业链及市场简析被引量：2
《中国集成电路》2019年第10期29-32,共4页朱雷 
超薄基体埋氧全耗尽绝缘层基硅(Ultra Thin body and BOX- Fully Depleted - silicon on insulator,UTBB-FD-SOI,以下简称FD-SOI),是一种基于两大创新来实现平面晶体管结构的工艺技术:一是,在体硅中引入了超薄的埋氧(BOX)层,作为绝缘层...
关键词：SOI技术 产业链 市场 晶体管 设备结构 芯片面积 摩尔定律 生产流程 
SOI在射频电路中的应用被引量：2
《微电子学》2005年第1期67-70,共4页骆苏华 刘卫丽 张苗 狄增峰 王石冶 宋志棠 孙晓玮 林成鲁 
上海市纳米技术专项资助项目(052nm084)国家重点基础研究发展计划资助项目(G2000036506)国家自然科学基金资助项目(90101012)
随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的 兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示...
关键词：射频集成电路 高阻SOI FD-SOI CMOS SIMOX 
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