FD-SOI

作品数：44被引量：21H指数：3
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相关机构：上海功成半导体科技有限公司中国科学院中国科学院大学中国科学院微电子研究所更多>>
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FD-SOI器件中PMOS源漏区外延层形貌改善研究
《集成电路应用》2024年第2期60-62,共3页方精训 吕健 
阐述FD-SOI器件中SiGe-RSD形貌不规则是导致Si Cap层被金属扎穿的原因。针对这一问题,对SiGe-RSD的制备工艺进行逐层(L1/L2/L3)优化,最终制备出形貌规则、表面平整的样品。随后的接触通孔工艺环节Si Cap层未被扎穿,形成良好的合金,器件P...
关键词：集成电路制造 FD-SOI 外延 凸起源漏结构 
全耗尽绝缘硅FD-SOI工艺技术的特点分析
《集成电路应用》2017年第11期38-41,共4页孔文 
上海市软件和集成电路产业发展专项基金(2016.160220)
在先进的IC制造工艺方面,由Intel主导的Fin FET一直大行其道。而最近这几年,SOI,包括FD-SOI和RF-SOI越来越受到人们的关注,特别是随着物联网和5G时代的到来,其技术优势和应用前景也越发地被看好。在应用层面,总的来说,Fin FET的目标市...
关键词：集成电路制造 全耗尽绝缘硅 RF-SOI 
FD-SOI能否成为28nm以后的集成电路工艺路线被引量：1
《集成电路应用》2014年第12期26-31,共6页张毓波 
FD-SOI工艺在中国能否获得支持和采用正处在关键期。先进半导体制造产线的巨额投资,使FD-SOI工艺、平面工艺、Fin FET工艺之战引人瞩目。FD-SOI被认为是其中的黑马,尽管实际上目前备受关注的是其在平面工艺范畴中的表现,但FD-SOI也具备...
关键词：集成电路制造工艺FD—SOI 28nm 
SOI在射频电路中的应用被引量：2
《微电子学》2005年第1期67-70,共4页骆苏华 刘卫丽 张苗 狄增峰 王石冶 宋志棠 孙晓玮 林成鲁 
上海市纳米技术专项资助项目(052nm084)国家重点基础研究发展计划资助项目(G2000036506)国家自然科学基金资助项目(90101012)
随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的 兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示...
关键词：射频集成电路 高阻SOI FD-SOI CMOS SIMOX 
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