GAAS器件

作品数:37被引量:44H指数:3
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相关机构:河北半导体研究所信息产业部电子第五研究所中国科学院中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关期刊:《微细加工技术》《中国集成电路》《激光与光电子学进展》《电视技术》更多>>
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第3代半导体材料GaN基微波功率器件研究和应用进展被引量:5
《新材料产业》2014年第3期13-17,共5页王丽 王翠梅 
微波功率器件是指工作频段在300M~300GHz这个微波波段内的电子器件,主要用以实现微波功率的发射和放大、控制和接收等功能,是现代相控阵雷达、移动通讯基站等的核心部件。目前微波功率器件的主流产品主要基于第l代半导体材料硅(Si...
关键词:宽禁带半导体材料 微波功率器件 GAN材料 第3代 高电子迁移率晶体管 大功率微波器件 应用 GAAS器件 
PECVDSiN及其在GaAsMESFET中的应用第Ⅱ部分:PECVDSiN的性质及其对GaAs器件性能的影响被引量:1
《半导体情报》1994年第2期57-63,共7页罗海云 
PECVDSiN及其在GaAsMESFET中的应用第Ⅱ部分:PECVDSiN的性质及其对GaAs器件性能的影响罗海云(电子部第13研究所,石家庄,050051)PECVDSiNandItsApplicationinG...
关键词:氮化硅 等离子结构 场效应晶体管 
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