GAN基激光器

作品数：13被引量：19H指数：3
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：赵德刚张书明胡晓东张立群冯美鑫更多>>
相关机构：中国科学院北京大学中国科学院大学深圳第三代半导体研究院更多>>
相关期刊：《高科技与产业化》《有色金属材料与工程》《红外与激光工程》《电子材料快报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金全球变化研究国家重大科学研究计划更多>>
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GaN基激光器的研究进展被引量：7
《有色金属材料与工程》2020年第1期54-60,共7页张洋 徐鹏 
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(1170041343)。
GaN材料作为第三代半导体材料具有十分独特的性能,其发光波段可以覆盖从红外到深紫外波段。GaN材料击穿电场强、发光效率高,使其在显示、照明、通信等领域具有非常广泛的应用。综述了GaN基激光器的发展历程及其失效和退化机制的研究进...
关键词：GAN 激光二极管 LED 半导体激光器 
硅衬底GaN基激光器、紫外LED与电力电子器件被引量：2
《高科技与产业化》2017年第1期50-55,共6页孙钱 
与传统的蓝宝石衬底和碳化硅衬底上外延生长GaN技术不同,在硅衬底上外延生长GaN基半导体材料与器件是一条我国有自主知识产权的创新技术路线,具有吊圆尺寸大、成本低、有望与硅CMOS工艺线兼容等优势。基于蓝宝石衬底外延生长的GaN基蓝光...
关键词：GAN 外延生长 晶体生长 功率电子器件 电力电子器件 光激射器 电子器件 激光器 LED 硅衬底 紫外 
InGaN/GaN量子阱垒层和阱层厚度对GaN基激光器性能的影响及机理被引量：6
《物理学报》2016年第7期316-321,共6页周梅 赵德刚 
国家自然科学基金(批准号:61474142)资助的课题~~
采用LASTIP软件研究了InGaN/GaN(In组分为15%)量子阱垒层和阱层厚度对GaN基蓝紫光激光器性能的影响及机理.模拟计算结果表明,当阱层太薄或太厚时,GaN基激光器的阈值电流增加、输出功率下降,最优的阱层厚度为4.0 nm左右;当阱层厚度太薄时...
关键词：GAN基激光器 InGaN/GaN量子阱 垒层和阱层厚度 
GaN基激光器多量子阱垒材料的研究被引量：1
《光谱学与光谱分析》2009年第6期1441-1444,共4页陈伟华 廖辉 胡晓东 李睿 贾全杰 金元浩 杜为民 杨志坚 张国义 
国家自然科学基金项目(60776042);“863”计划项目(2007AA03Z403);国家重大科学研究计划项目(2006CB921607)资助
在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分别制作了脊形波导GaN基激光器。同步辐射X射线衍射,电注入受激发射光谱测试及光功率-电流(L-I)测试证明,...
关键词：GAN基激光器 多量子阱(MQWs) ALINGAN 垒材料 
GaN基激光器的特性被引量：3
《红外与激光工程》2009年第1期41-44,共4页张立群 张书明 江德生 朱建军 赵德刚 杨辉 
国家自然科学基金资助项目(60836003)
GaN基激光器具有广泛的应用。如何获得平整腔面是蓝宝石衬底上制作GaN激光器的困难之一。通过对解理面的分析和不同衬底厚度时腔面形貌的比较,发现减薄衬底可以有效降低腔面粗糙度。当外延片厚度减薄至50μm时,获得近似镜面的腔面。激...
关键词：腔面 脊形高度 阈值电流 斜率效率 
铟对GaN基激光器晶体质量的影响
《半导体光电》2008年第3期361-364,共4页廖辉 杨志坚 张国义 胡晓东 
国家自然科学基金项目(60477011,60776042);国家“973”计划项目(2006CB604908,2006CB921607)
利用高分辨X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对GaN基蓝紫半导体激光器中的n型AlGaN/GaN超晶格在铟背景下进行生长对器件的晶体质量的影响进行了研究分析。分别测量了(0002),(1011),(1012),(1013),(1014),(1015)和(2021)不同晶面的摇...
关键词：超晶格 X射线衍射 氮化镓 半导体激光器 
Studies on GaN-based laser devices make progress
《Bulletin of the Chinese Academy of Sciences》2008年第1期8-9,共2页
Aresearch team led by YANG Hui and CHEN Lianghui with the CAS Institute of Semiconductors (ISCAS)has made breakthrough progress in addressing key technological problems for the GaN-based laser diodes development.The r...
关键词：中国科学院 研究成果 GAN基激光器 半导体 
GaN基激光器多量子阱结构的性能表征与结构优化
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期471-474,共4页魏启元 李倜 王彦杰 陈伟华 李睿 潘尧波 徐科 章蓓 杨志坚 胡晓东 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60477011,60476028,60406007,60276010)
研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效率的测量以及增益分布的模拟分析,证实了四元合金用于量子阱结构生长对提高激光器性能的作用.此外对优化的量...
关键词：氮化镓 激光二极管 量子阱 多元合金 增益 
GaN基激光器电子阻挡层的优化分析
《Journal of Semiconductors》2006年第8期1458-1462,共5页李倜 潘华璞 徐科 胡晓东 
国家自然科学基金(批准号:60477011;60476028;60406007;60276010);国家高技术研究发展计划(批准号2001AA313110;2001AA313060;2001AA313140;2005AA31G020)资助项目~~
从载流子输运机制的角度,分析了影响GaN基激光器中有源区电流溢出的因素,对AlGaN电子阻挡层中Al组分和p型掺杂水平进行了优化.结果表明,当p型掺杂水平增高时,所需要的势垒高度减小,即Al组分减小.
关键词：半导体激光器 GAN ALGAN 电子阻挡层 
GaN基激光器光增益和内部光损耗的测量
《激光技术》2005年第3期284-286,共3页金春来 胡晓东 王琦 张振生 章蓓 
国家八六三计划资助项目(2001AA313110);国家自然科学基金资助项目(60276010);北京市科技计划资助项目(H030430020230)
采用变条长方法实验测量了GaN基短波长激光器样品的放大自发发射谱,确定了样品的光增益和光损失系数,并发现了样品中存在着严重的光增益饱和的现象。证实了变条长方法对于研究GaN基短波长激光器性能的可行性。进一步比较了两种不同结构...
关键词：放大的自发发射谱 变条长方法 光损耗 光增益 增益饱和 
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