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作品数：49被引量：31H指数：2
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Controllable growth of GeSi nanostructures by molecular beam epitaxy被引量：1
《Journal of Semiconductors》2018年第6期51-65,共15页Yingjie Ma Tong Zhou Zhenyang Zhong Zuimin Jiang 
Project supports by the Natural Science Foundation of China(Nos.61605232,61674039);the Open Research Project of State Key Laboratory of Surface Physics from Fudan University(Nos.KF2016_15s,KF2017_05)
We present an overview on the recent progress achieved on the controllable growth of diverse GeSi al- loy nanostructures by molecular beam epitaxy. Prevailing theories for controlled growth of Ge nanostructures on pat...
关键词：Ge SI molecular beam epitaxy NANOSTRUCTURES CONTROLLABLE patterned substrates inclinedsurfaces preferential growth 
利用在矽基板上Si(上标 +)预离子布置来提高GeSi缓冲层的松驰以利Ge的成长
《國家奈米元件實驗室newsletter》謝炎璋 張翼 羅廣禮 M. H. Pilkuhn 唐仕軒 張俊彥 楊忠諺 
Growth of SiGe Films by Cold-wall UHV/CVD Using GeH_4 and Si_2H_6
《Semiconductor Photonics and Technology》2000年第3期134-138,共5页CHENGBu－wen LIDai－zong 等 
ChineseHigh -TechnologyResearchPlan (No .863- 30 7- 15- 4 ( 0 3) )andChineseNaturalScienceFund (No .698962 60 )
An ultrahigh vacuum chemical vapor deposition (UHV/CVD) system is introduced. SiGe alloys and SiGe/Si multiple quantum wells (MQWs) have been grown by cold-wall UHV/CVD using disilane (Si 2H 6) and germane (GeH 4) as ...
关键词：GESI Quantum well UHV/CV 
Ge_(0.05)Si_(0.95)/Si脊形光波导的分析及设计
《半导体光电》1999年第5期360-362,共3页刘淑平 贾跃虎 
提出了Ｇｅ０ ．０５Ｓｉ０ ．９５／Ｓｉ 脊形光波导的等效模型，并在此模型的基础上利用有效折射率的数值解法计算出Ｇｅ０ ．０５Ｓｉ０ ．９５／Ｓｉ 脊形光波导的有效折射率。
关键词：光波导 脊形光波导 GESI 有效折射率 
Ge_(0.05)Si_(0.95)/Si脊形光波导的分析及设计被引量：1
《测试技术学报》1999年第1期59-62,共4页刘淑平 贾跃虎 
在Ge_(0.05)Si_(0.95)/Si脊形光波导的等效模型的基础上,利用数字迭代法求解出了平板光波导波导层的有效折射率N_1,N_2及脊形光波导等效模型的有效折射率N_3。从求出的有效折射率来确脊形光波导传输单模光波时要求的内外脊高b和h及脊宽...
关键词：GESI 折射率 脊形波导 光波导 设计 
Calculation of Ge_(0.5)Si_(0.5)—Si Superlattice Photodetectors on Ge_(0.05)Si_(0.95) Waveguides:The Optimum Parameters
《Semiconductor Photonics and Technology》1997年第1期3-6,共4页XU Xuelin, LI Na, LIU Enke(Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, CHN ) 
Abstract: The optimum parameters are calculated by the large cross - section theory and mode cut - off equation. The effect on reverse bias voltage is analysed by the doping concentration in n+ - Si. This is significa...
关键词：Characteristics GeSi Material PHOTODETECTORS WAVEGUIDES 
p型Ge_xSi_(1-x)/Si多量子阱的红外吸收及其分析被引量：3
《物理学报》1997年第4期740-746,共7页俞敏峰 杨宇 沈文忠 朱海军 龚大卫 盛篪 王迅 
国家自然科学基金
通过测量ＧｅＳｉ多量子阱的红外谱，同时观察到了相应于量子阱内重空穴基态ＨＨ０到重空穴激发态ＨＨ１、轻空穴激发态ＬＨ１和自旋分裂带ＳＯ及连续态间的跃迁吸收．测量了ＧｅＳｉ多量子阱探测器的正入射光电流谱，看到了明显的光响...
关键词：多量子阱 GESI 红外吸收 
温度对势垒区δ掺杂量子阱Si／Ge_（0．3）Si_（0．7）的电子能带结构的影响
《Journal of Semiconductors》1996年第8期561-566,共6页徐至中 
国家自然科学基金
采用有效质量近似下的包络函数方法，对在不同温度下的势垒区δ掺杂量子阱Ｓｉ／Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７的势位及电子密度分布进行了自洽计算．详细地研究了温度对势位及电子密度分布的影响．
关键词：势垒区 Δ掺杂 GESI SI 电子能带结构 温度 
势垒区δ掺杂量子阱Si／Ge_（0．3）Si_（0．7）的电子能带结构及电子密度分布被引量：2
《Journal of Semiconductors》1996年第5期321-327,共7页徐至中 
在有效质量近似基础上，采用非均匀网格有限差分法，通过对薛定谔—泊松方程的自洽求解，得到了生长在Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７（００１）衬底上的势垒区８掺杂量子阶Ｓｉ／Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７的势位及电子密度分布．讨论了量子阶的几何...
关键词：硅 GESI 量子阱 掺杂 电子能带结构 
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