HFET

作品数：103被引量：100H指数：5
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相关作者：薛舫时陈堂胜张志国杨克武杨瑞霞更多>>
相关机构：南京电子器件研究所中国电子科技集团第十三研究所电子科技大学河北工业大学更多>>
相关期刊：《Optoelectronics Letters》《微电子学》《齐齐哈尔大学学报（自然科学版）》《半导体技术》更多>>
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GaN HFET加应力后的虚栅和亚稳态能带
《固体电子学研究与进展》2023年第2期108-120,共13页薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 
江苏省重点研发计划资助项目(SBE2022020239,BE2020007)。
使用双曲函数拟合描绘出从应力偏置转换到测试偏置后,不同时刻的表面电势、电场强度和电场梯度的动态弛豫过程。计算出这一偏置转换引发的亚稳态能带。亚稳态能带的弛豫过程描绘出沟道夹断后的异质结充电过程。亚稳态能带计算证明外沟...
关键词：虚栅 电流崩塌 能带畸变 局域电子气 涉及异质结能带转换的虚栅模型 陷阱和局域电子气的相互作用 异质结鳍 
GaN HFET中的能带峰势垒和跨导崩塌(续)
《固体电子学研究与进展》2022年第4期251-257,262,共8页薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 
国家自然科学基金资助项目(61874101);江苏省重点研发计划资助项目(BE2020007)。
考虑大沟道电流下外沟道局域电子气慢输运行为破坏沟道电中性,诱生空间电荷导致的能带峰势垒,提出了新的跨导崩塌模型。详细计算了不同栅压和不同沟道电流密度、即不同空间电荷密度下的场效应管能带。引入新的能带峰势垒和沟道电子跨越...
关键词：跨导崩塌 能带峰势垒 能带畸变 局域电子气 陷阱和局域电子气的相互作用 沟道电子的速-场特性 钟形跨导曲线 异质结鳍 
GaN HFET中的能带峰势垒和跨导崩塌
《固体电子学研究与进展》2022年第3期163-169,共7页薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 
国家自然科学基金资助项目(61874101);江苏省重点研发计划资助项目(BE2020007)。
考虑大沟道电流下外沟道局域电子气慢输运行为破坏沟道电中性,诱生空间电荷导致的能带峰势垒,提出了新的跨导崩塌模型。详细计算了不同栅压和不同沟道电流密度、即不同空间电荷密度下的场效应管能带。引入新的能带峰势垒和沟道电子跨越...
关键词：跨导崩塌 能带峰势垒 能带畸变 局域电子气 陷阱和局域电子气的相互作用 沟道电子的速-场特性 钟形跨导曲线 异质结鳍 
GaN HFET偏置转换中的亚稳态能带(续)被引量：1
《固体电子学研究与进展》2020年第4期237-242,257,共7页薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 
国家自然科学基金资助项目(61874101)。
从场效应管瞬态电流谱中慢峰展示的异质结慢充电过程出发,提出了研究GaN HFET偏置转换中出现的亚稳态新概念。利用亚稳态随时间的缓变特征,建立了自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算方案。选用能带峰和填充能级来描绘亚稳态,...
关键词：亚稳态能带 电流崩塌 能带峰 填充能级 能带谷充电 应力偏置对动态电流的影响 电流崩塌模型 陷阱 
GaN HFET偏置转换中的亚稳态能带被引量：2
《固体电子学研究与进展》2020年第3期159-163,共5页薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 
国家自然科学基金资助项目(61874101,61904162)。
从场效应管瞬态电流谱中慢峰展示的异质结慢充电过程出发,提出了研究GaN HFET偏置转换中出现的亚稳态新概念。利用亚稳态随时间的缓变特征,建立了自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算方案。选用能带峰和填充能级来描绘亚稳态,...
关键词：亚稳态能带 电流崩塌 能带峰 填充能级 能带谷充电 应力偏置对动态电流的影响 电流崩塌模型 陷阱 
GaN HFET中的实时能带和电流崩塌(续)被引量：1
《固体电子学研究与进展》2019年第6期391-399,共9页薛舫时 杨乃彬 郁鑫鑫 
国家自然科学基金资助项目(61874101)
从场效应管能带和能带峰耗尽的新概念出发,提出了研究GaN HFET射频工作中实时能带的新课题。运用自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算软件详细计算了不同栅压和漏压下的实时稳态能带,由此求出各种实时能带下的局域电子气密度和...
关键词：实时能带 非稳态能带 电流崩塌 能带峰耗尽 局域电子气势垒 电流崩塌能带模型 陷阱 
GaN HFET中的实时能带和电流崩塌被引量：4
《固体电子学研究与进展》2019年第5期313-323,389,共12页薛舫时 杨乃彬 郁鑫鑫 
国家自然科学基金资助项目(61874101)
从场效应管能带和能带峰耗尽的新概念出发,提出了研究GaN HFET射频工作中实时能带的新课题。运用自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算软件详细计算了不同栅压和漏压下的实时稳态能带,由此求出各种实时能带下的局域电子气密度和...
关键词：实时能带 非稳态能带 电流崩塌 能带峰耗尽 局域电子气势垒 电流崩塌能带模型 陷阱 
高工作电压GaAs HFET
《固体电子学研究与进展》2019年第2期106-110,共5页陈正廉 林罡 
通过对结构和性能的分析与优化,设计并研制了不同场板和宽槽条件下的高工作电压GaAs HFET器件。直流和射频测试结果表明:提升场板长度和宽槽宽度可以有效提高器件的工作电压。器件在南京电子器件研究所流片,最终制备出的器件性能为:击...
关键词：GaAs异质结场效应管 场板 宽槽 工作电压 
GaN HFET中的能带峰耗尽被引量：3
《固体电子学研究与进展》2018年第6期389-397,402,共10页薛舫时 孔月婵 陈堂胜 
国家自然科学基金资助项目(61474101,61504125,61505181);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2015AA016802,2015AA033305).
考虑强场峰和耗尽电势随栅压的变化后,使用新编的场效应管能带计算软件计算了GaN HFET在不同栅、漏电压下的场效应管能带和漂移及局域电子气密度,发现了强场峰中耗尽区内外漂移电子气的耗尽台阶和能带峰台阶以及耗尽区外的局域电子气峰...
关键词：电流崩塌 强场峰耗尽 场效应管能带 局域电子气势垒 电流崩塌能带模型 
GaN HFET中局域电子气产生的动态电流(续)
《固体电子学研究与进展》2017年第4期221-228,244,共9页薛舫时 
国家自然科学基金资助项目(61474101;61504125);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2015AA016802;2015AA033305)
3瞬态电流谱和瞬态电阻谱中两种电子气的动态电流峰为了深入研究器件射频工作中的电流崩塌,许多作者测量了栅漏偏置电压改变时沟道的动态输运行为,获得了大量瞬态电流谱和瞬态电阻谱。大家认为这些电流谱和电阻谱都是陷阱俘获电子耗尽...
关键词：电子气 GAN HFET 瞬态电流 电流变化 偏置电压 势垒层 电应力 充电时间 通态 栅压 
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