HVPE

作品数:79被引量:84H指数:5
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基于蓝宝石衬底生长GaN的立式HVPE控制系统设计被引量:1
《微纳电子技术》2022年第5期458-464,共7页余平 孙文旭 修向前 马思乐 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0404201)。
为了实现氢化物气相外延(HVPE)技术在蓝宝石衬底上外延生长氮化镓(GaN)过程的全自动控制,进一步提高系统的精确性和稳定性,设计了一种新型HVPE控制系统。该控制系统选用可编程逻辑控制器(PLC)为控制器,采用组态王开发系统监控软件。利...
关键词:蓝宝石衬底 氢化物气相外延(HVPE) 氮化镓(GaN) 模糊控制 系统仿真 系统测试 
HVPE GaN生长中TiN网栅的制备和作用
《微纳电子技术》2018年第10期768-774,共7页张嵩 齐成军 王再恩 孙科伟 
利用退火工艺在MOCVI)_GaN基片表面制作TiN网栅,同时基片可形成疏松的多孔GaN结构。退火过程中温度越高、氢气分压越大,所形成的孔隙越大越深。高温下GaN分解的Ga因与H结合成为气相而使多孔结构沟槽内无残余Ga滴,可作为之后GaN外延...
关键词:MoCVD—GaN TiN网栅 多孔GaN 退火 氢化物气相外延(HVPE) 热应力 
基于自支撑GaN和蓝宝石衬底AlGaN/GaN MISHEMT器件对比
《微纳电子技术》2017年第11期734-739,共6页李淑萍 孙世闯 张宝顺 
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(11404372);江苏省重点研发计划资助项目(BE2016084)
通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在氢化物气相外延(HVPE)自支撑GaN衬底和蓝宝石(0001)衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,采用低压化学气相沉积SiN_x作为栅介质层,形成金属绝缘半导体高电子迁移率晶体...
关键词:氢化物气相外延(HVPE)GaN衬底 金属有机化学气相沉积(MOcVD) AlGaN/ GaN金属绝缘半导体高电子迁移率晶体管(MIsHEMT) 同质外延 电流崩塌 
ZnO缓冲层的厚度对HVPE-GaN外延层的影响被引量:2
《微纳电子技术》2014年第1期66-70,共5页王晓翠 杨瑞霞 王如 张嵩 任光远 
为了得到高质量的GaN材料,首先在c面蓝宝石(Al2O3)衬底上射频磁控溅射不同厚度的ZnO缓冲层,然后采用氢化物气相外延(HVPE)法在ZnO缓冲层上生长约5.2μm厚的GaN外延层,研究ZnO缓冲层的厚度对GaN外延层质量的影响。用微分干涉显微镜(DIC)...
关键词:氢化物气相外延(HVPE) 氮化镓(GaN) ZnO缓冲层 蓝宝石 磁控溅射 
HVPE法制备GaN过程中GaAs衬底的氮化被引量:2
《微纳电子技术》2010年第10期610-613,618,共5页张嵩 杨瑞霞 徐永宽 李强 
在自制的立式氢化物气相外延(HVPE)系统炉中,一定温度下通入一定流量的NH3使GaAs(111)衬底氮化一层GaN薄膜,以防止高温外延生长GaN时GaAs分解,进而提高了之后GaN外延生长的晶体质量。实验主要通过XRD检测氮化层的质量,研究了氮化温度和...
关键词:GAN 氮化层 GaAs 氢化物气相外延(HVPE) XRD 
HVPE法生长AlN薄膜材料被引量:2
《微纳电子技术》2010年第2期89-92,共4页徐永宽 李强 程红娟 殷海丰 于祥潞 杨丹丹 刘金鑫 岳洋 张峰 
利用自制立式HVPE设备,在蓝宝石衬底上进行了不同载气情况下AlN的生长试验,生长温度1 000℃。在采用H2作载气情况下,由于预反应严重,没能生长出AlN薄膜,只得到一些白色AlN粉末;而在分别采用Ar和N2作载气的情况下,则成功生长出AlN薄膜,...
关键词:氢化物气相外延生长 氮化铝 载气 蓝宝石衬底 X射线衍射 
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