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Ⅲ-Ⅴ族化合物与CMOS:逻辑的选择?
《现代材料动态》2008年第8期15-16,共2页邓志杰(摘译) 
如果你想了解SiCMOS工艺的将来,那么IEDM(国际电子器件会议)是值得一去的“地方”。IEDM每年12月份交替在华盛顿和旧金山举行,已有50多年的历史了。一些关键性的半导体工艺常常在该会议上“出现”。2007年会议的与会者又在共同关注...
关键词:CMOS工艺 Ⅲ-Ⅴ族化合物 逻辑 化合物半导体 IEDM 半导体工艺 微电子工艺 电子器件 
化合物半导体新进展
《现代材料动态》2005年第9期3-5,共3页邓志杰(摘译) 
每年一次的国际电子器件与材料(IEDM)会议一直是反映该领域进展的“晴雨表”,2004年的会议也反映了一些主要的进展,本文不限于介绍这次会议而试图介绍化合物半导体方面的进展。IEDM的内容以Si基器件为主,但一些性能最好的器件往往...
关键词:化合物半导体 Ⅲ-Ⅴ族化合物 电子器件 IEDM GAAS 会议 SI基 材料 
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