INGAAS/INGAASP

作品数：19被引量：22H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：王圩朱洪亮马晓辉韩德俊马春生更多>>
相关机构：中国科学院长春理工大学北京师范大学吉林大学更多>>
相关期刊：《Science Bulletin》《中国激光》《发光学报》《物理学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 基金=国家重点基础研究发展计划x
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
Metamorphic growth of 1.55 μm InGaAs/InGaAsP multiple quantum wells laser structures on GaAs substrates
《Chinese Optics Letters》2015年第3期32-36,共5页李小波 黄永清 王俊 段晓峰 张瑞康 李业弘 刘正 王琦 张霞 任晓敏 
supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.61274044 and61020106007);the National Basic Research Program of China(No.2010CB327600);the Natural Science Foundational Science and Technology Cooperation Projects(No.2011RR000100);the 111 Project of China(No.B07005);the Fundamental Research Funds for the Central University(No.2013RC1205);the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education(No.20130005130001)
We fabricate a GaAs-based InGaAs/InGaAsP multiple quantum wells （MQWs） laser at 1.55 pm. Using two-step growth method and thermal cyclic annealing, a thin low-temperature InP layer and a thick InP buffer layer are g...
关键词：AS In GA m InGaAs/InGaAsP multiple quantum wells laser structures on GaAs substrates Metamorphic growth of 1.55 
1.82-μm distributed feedback lasers with InGaAs/InGaAsP multiple-quantum wells for a H_2 O sensing system被引量：3
《Chinese Optics Letters》2013年第3期41-44,共4页于红艳 潘教青 邵永波 王宝军 周代兵 王圩 
supported by the National "863" Project of China(No.2012AA012203);the National "973" Program of China(No.2011CB301702)
High-strained InGaAs/InGaAsP multiple quantum wells （MQWs） distributed feedback （DFB） lasers, fab- ricated using metal organic chemical vapor deposition, are presented at 1,82 μm with a high side-mode- suppressio...
关键词：INGAAS WELL m distributed feedback lasers with InGaAs/InGaAsP multiple-quantum wells for a H2 O sensing system DFB 
Thermal conductivity measurement of InGaAs/InGaAsP superlattice thin films被引量：2
《Chinese Science Bulletin》2006年第23期2931-2936,共6页CHEN Zhen YANG Juekuan ZHUANG Ping CHEN Minhua ZHU Jian CHEN Yunfei 
This work was supported by the National Basic Research Program of China(2006CB300404);National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.50275026,50475077,50505007&50506008);the Natural Science Foundation of Jiangsu Province(BK2002060);research funding for the Doctor program from Chinese Education Ministry(20050286019);Chen Yunfei also acknowledges the financial support from the Program for New Century Excellent Talents in University(NCET-04-0470).
The thermal conductivities of InGaAs/ InGaAsP superlattices with different period lengths were measured from 100 to 320 K using 3ω method. In this temperature range, the thermal conductivities were found to decrease ...
关键词：3ω法 热传导性 超晶格 薄膜 
InGaAs/InGaAsP超晶格薄膜导热系数测试
《科学通报》2006年第13期1601-1605,共5页陈震 杨决宽 庄苹 陈敏华 朱健 陈云飞 
国家自然科学基金（批准号：50275026,50475077,50505007,50506008）;国家重点基础研究发展规划（编号：2006CB300404）;江苏省自然科学基金（批准号：BK2002060）;教育部博士点基金（批准号：20050286019）;新世纪优秀人才支持计划（编号：NCET-04-0470）资助项目.
采用3ω方法在100～320 K温度范围内测试了不同周期长度的InGaAs/InGaAsP超晶格薄膜的导热系数.结果表明对于周期性超晶格结构,随着温度的升高,热传导能力下降;比较周期长度不同的超晶格结构的测试结果,发现导热系数会随着周期长度的增...
关键词：3ω实验 导热系数 超晶格 薄膜 
HCl/HF/CrO_3溶液对InGaAs/InGaAsP的选择性湿法刻蚀——应用于楔形结构的制备
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1469-1474,共6页黄辉 王兴妍 任晓敏 王琦 黄永清 高俊华 马晓宇 
国家自然科学基金重大项目(批准号:90201035);国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA312020);国家重点基础研究发展计划(批准号:2003CB314901)资助项目~~
利用动态掩膜湿法腐蚀技术,研究了HCl/HF/CrO3溶液对与InP衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yPy(y=0,0.2,0.4,0.6)材料的腐蚀特性.对于HCl(36wt%)/HF(40wt%)/CrO3(10wt%)的体积比为x∶0.5∶1的溶液,随着x由0增加到1.25,相应的腐蚀液对In0.53Ga...
关键词：半导体器件 制造工艺 楔形结构 动态掩膜湿法腐蚀技术 刻蚀 选择性湿法 HCl/HF/CrO3溶液 INGAASP INGAAS 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部