表面态

作品数：230被引量：563H指数：10
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贵金属表面上磁性原子结构及其性质概述
《科学通报》2015年第4期329-343,共15页曹荣幸 胡安 丁海峰 
国家重点基础研究发展计划(2010CB923401);国家自然科学基金(10974087,11374145,11304150,11023002)资助
有序排列的磁性纳米结构由于其丰富的物理性质和数据存储方面的潜在应用而受到广泛关注.随着现代生长和显微成像技术的进步,构造原子量级的结构和探测它们独特的性质已经成为可能.本文回顾了贵金属表面上的磁性金属原子有序结构的近期...
关键词：表面态 长程相互作用 自组织生长 量子受限效应 
表面态对AlGaN／GaN异质结构2DEG影响的模拟分析
《中国科技论文》2014年第10期1206-1208,共3页杨帆 林哲雄 张炜 张金城 王硕 贺致远 倪毅强 刘扬 
国家自然科学基金资助项目(51177175,61274039);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB923200,2011CB301903);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20110171110021);国家国际科技合作专项项目(2012DFG52260);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA03A101)
利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2dimensional electron gas,2DEG)形成之间的关系,分析施主表面态电离过程以及表面态能级位置、表面态密度的影响。结果表明:施主表面态为2DEG的电子来源;AlGaN能带分布...
关键词：半导体物理学 施主表面态 AlGaN厚度 表面态电离 模拟 
InAlN材料表面态性质研究被引量：2
《物理学报》2013年第17期439-445,共7页杨彦楠 王新强 卢励吾 黄呈橙 许福军 沈波 
国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2012CB619303,2012CB619304);国家自然科学基金(批准号:61225019,11023003,10990102);国家高技术研究发展计划(863计划)(批准号:2011AA050514,2011AA03A103,2011AA03A111);教育部高等学校博士学科点专项科研基金资助项目资助的课题~~
运用电流-电压(I-V),变频电容-电压(C-V)和原子力显微镜(AFM)技术研究In组分分别为15%,17%和21%的Ni/Au/-InAlN肖特基二极管InAlN样品表面态性质(表面态密度、时间常数和相对于InAlN导带底的能级位置).I-V和变频C-V方法测量得到的实验...
关键词：不同In组分的InAlN材料 表面态 电流 电压特性 变频电容 电压特性 
氧化物纳米线肖特基势垒的输运特性及光电器件研究
《河南大学学报（自然科学版）》2012年第5期486-492,共7页杜祖亮 程纲 
国家自然科学基金资助项目(10874040;60906056);国家重大基础研究"973"前期专项(2007CB616911);高等学校科技创新工程重大项目培育资金项目(708062)
基于一维半导体纳米材料发展新型纳米光电器件是纳米科技研究中的重要领域.近年来纳米线肖特基势垒的输运特性及其在光电器件方面的应用受到研究人员的广泛关注.本文中,对氧化物纳米线肖特基势垒的研究背景以及我们近年的研究进展进行评...
关键词：氧化物纳米线 肖特基势垒 输运特性 表面态 光电纳米器件 
氟基等离子体处理对高Al组分AlGaN肖特基接触反向漏电的改善
《半导体光电》2012年第5期672-675,679,共5页赵胜 秦志新 刘芳 卢励吾 王新强 沈波 张国义 
国家"973"计划项目(2012CB619306;2012CB619301)
在沉积肖特基金属之前,对非掺的Al0.45Ga0.55N采用了不同时间的氟基等离子体处理,其中Al组分对应日盲波段。与未做氟基等离子体处理的样品相比,经过处理的Al0.45Ga0.55N肖特基二极管在反向-10V的漏电流密度随处理时间的增加而减少,其中...
关键词：高Al组分AlGaN 肖特基接触 氟基等离子体 漏电流 表面态 
高场应力及栅应力下AlGaN/GaN HEMT器件退化研究被引量：3
《物理学报》2009年第1期511-517,共7页谷文萍 郝跃 张进城 王冲 冯倩 马晓华 
国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033);973计划项目(批准号:513270407);预先研究项目(批准号:51311050112;51308030102;51308040301)资助的课题~~
采用不同的高场应力和栅应力对AlGaN/GaN HEMT器件进行直流应力测试,实验发现:应力后器件主要参数如饱和漏电流,跨导峰值和阈值电压等均发生了明显退化,而且这些退化还是可以完全恢复的;高场应力下,器件特性的退化随高场应力偏置电压的...
关键词：ALGAN/GAN HEMT器件 表面态(虚栅) 势垒层陷阱 应力 
CdS量子点的制备和光学性质被引量：17
《材料研究学报》2009年第1期89-92,共4页宋冰 程轲 武超 杜祖亮 
国家自然科学基金90306010;CHE-20773103;教育部新世纪优秀人才计划NCET-04-0653;国家重点基础研究计划2007CB616911资助项目~~
以醋酸镉、硫粉为原料制备CdS量子点,研究了硫的加入量对其光学性质的影响.结果表明:合成的CdS量子点粒径均匀,分散性较好,随着硫加入量的增加CdS量子点的粒径增大;反应中过量的硫能有效地填补硫空位,从而抑制表面态发光.同时,ODA的修...
关键词：无机非金属材料 硫化镉 量子点 量子尺寸效应 表面态 
调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中Al_xGa_(1-x)N势垒层表面态及其他局域态性质研究
《Journal of Semiconductors》2003年第8期822-826,共5页刘杰 沈波 周玉刚 周慧梅 郑泽伟 张荣 施毅 郑有炓 
国家重点基础研究专项基金 (No .G2 0 0 0 0 683 );国家自然科学基金(批准号 :60 13 60 2 0 ;60 2 760 3 1);国家高科技发展计划 (No .2 0 0 2AA3 0 5 3 0 4)资助项目~~
通过测量调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结样品的变频电容 电压 (C V)特性 ,对Al0 2 2 Ga0 78N势垒层表面态的性质进行了研究 .结果发现在小偏压下 ,样品的电容随着测量信号频率的增加而下降 ,说明势垒层中存在表面态 .实验数据...
关键词：Ⅲ族氮化物 调制掺杂异质结构 势垒层 表面态 
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