超低介电常数

作品数:26被引量:45H指数:4
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相关作者:苏和平唐莹李纯纯方亮段炼更多>>
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超低介电常数的多孔F-pSiCOH薄膜制备及其紫外固化处理
《化工新型材料》2024年第S01期128-131,142,共5页陈云 
江西省教育厅科学技术研究项目(GJJ212008)。
面向高性能集成电路可靠性设计要求之下,开展以硅集成电路(IC)三维集成器件超低介电常数的介电薄膜研究。采用化学气相沉积法制备了一种超低介电常数(k)值的多孔F-pSiCOH薄膜。利用傅里叶变换红外光谱测定了多孔F-pSiCOH薄膜的化学结构...
关键词:硅集成电路 低介电常数介电材料 多孔SiCOH薄膜 紫外固化 
面向6G应用的超低介电常数定向通孔Al_(2)O_(3)陶瓷
《硅酸盐学报》2023年第4期859-865,共7页陈雨谷 郭蔚嘉 马志宇 卢雨田 岳振星 
广东省重点领域研发计划项目(2020B010176001);国家自然科学基金(51872160);国家重点研发计划项目(2017YFB0406301)。
为了满足6G太赫兹频段低时延通信技术的要求,采用冷冻干燥法制备了具有超低介电常数的定向通孔结构多孔氧化铝陶瓷。研究不同部位样品的结构与性能关系,以及固相含量对微观形貌、力学性能、太赫兹光学和介电性能的影响。获得具有高气孔...
关键词:多孔氧化铝陶瓷 定向通孔 太赫兹 光学性能 介电性能 
超低介电常数聚芳酯薄膜的制备及其性能研究
《合成技术及应用》2023年第1期18-23,共6页李响 陈田恬 王燕萍 高强 夏于旻 黄铄涵 
国家重点研发计划项目(2021YFB3700105)、产业用纺织品教育部工程研究中心2020年度开放课题(K2020-01)。
为制备超低介电常数的聚芳酯薄膜,以双酚A(BPA)、对苯二甲酰氯(TPC)和间苯二甲酰氯(IPC)为单体用界面聚合法合成无定形聚芳酯(a-PAR);并采用相分离法制备多孔聚芳酯薄膜;采用扫描电子显微镜、差示扫描量热仪和万能材料试验机等探讨了凝...
关键词:聚芳酯 介电常数 相分离 孔隙率 
超低介电常数氟化聚酰亚胺合成与性能被引量:7
《工程塑料应用》2022年第1期28-32,85,共6页高春 翟建广 邹明辉 
分别以4,4′-联苯醚二酐(ODPA)和4,4′-(4,4′-异丙基二苯氧基)二酞酸酐(BPADA)为酸酐单体、2,2-双[4-(4-氨基苯氧基苯)]六氟丙烷(HFBAPP)为胺类单体,采用两步法制备了两种聚酰亚胺(PI)薄膜(PI-1和PI-2)。采用傅里叶变换红外光谱仪对薄...
关键词:氟化聚酰亚胺 低介电常数 介电性能 
Cu CMP工艺对薄膜介电常数的影响机制
《半导体技术》2016年第12期929-932,共4页杨俊 刘洪涛 谷勋 
研究了使用不同研磨液的Cu CMP工艺对超低介电常数(ULK)薄膜介电常数k值的影响。实验结果表明经过Cu CMP工艺,ULK薄膜的介电常数k均有不同程度的增加。XPS成分分析结果表明,ULK薄膜表面C含量的增加是造成介电常数k值升高的主要原因。这...
关键词:CU CMP 超低介电常数(ULK) 介电常数k 退火 
高温水热合成具有超低介电常数的规则介孔氧化硅材料被引量:7
《高等学校化学学报》2012年第9期1908-1914,共7页刘福建 韩冰 曹洋 邹永存 孟祥举 肖丰收 
国家自然科学基金(批准号:20973079)资助
分别以高分子三嵌段共聚物P123(PEO20-PPO70-PEO20)和F127(PEO106-PPO70-PEO106)为模板剂,通过高温水热法制备了具有超低介电常数的规则介孔氧化硅材料(OMSs).当合成温度达到200℃时,得到的产物仍可保持规则的介孔结构.X射线衍射和氮气...
关键词:规则介孔材料 高温合成 氧化硅 介电常数 缩合度 
紫外辐照对超低介电常数SiCOH薄膜组成与机械性能的影响
《功能材料》2011年第9期1657-1659,1662,共4页付爽 胡龙龙 孟庆伟 丁士进 范仲勇 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB302703);国家科技重大专项资助项目(2011ZX02703-04)
采用紫外光辐照超低介电常数多孔SiCOH薄膜,研究不同照射时间对薄膜结构和性能的影响。采用动态纳米压入技术测量薄膜的力学性能,发现随照射时间增加,薄膜的模量(Er)和硬度(H)不断提高。当辐照时间增至6h时,薄膜力学强度分别达到Er约7.4...
关键词:紫外辐照 多孔SiCOH薄膜 力学性能 低介电常数 
纳米多孔SiO_2薄膜疏水性的研究进展被引量:5
《材料导报》2005年第11期39-42,共4页高庆福 冯坚 成慧梅 周仲承 王娟 张长瑞 
"十五"武器装备预研(41312040307)资助项目
超低介电常数纳米多孔 SiO_2薄膜在未来超大规模集成电路(ULSI)中有着广阔的应用前景,但其疏水性能的好坏是决定其能否在 ULSI 中应用的重要因素之一。介绍了国内外有关纳米多孔 SiO_2薄膜疏水性的原理、工艺以及表征方法。
关键词:纳米多孔 SIO2薄膜 疏水处理 接触角 低介电常数 疏水性能 超大规模集成电路 超低介电常数 ULSI 表征方法 
接枝聚合制备具有超低介电常数聚酰亚胺纳米复合物材料被引量:13
《高分子学报》2005年第6期807-812,共6页陈义旺 聂华荣 谌烈 康燕镗 
通过热引发甲基丙烯酸环戊基-立方低聚倍半硅氧烷(R7R'Si8O12,POSS)(MA-POSS)与臭氧预处理的含氟聚酰亚胺(FPI)自由基接枝共聚制得了含多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)的FPI纳米复合物.用核磁共振(NMR)、X-射线衍射(XRD)及场发射扫描电镜(FE...
关键词:介电常数 纳米复合物 低聚倍半硅氧烷 接枝共聚 含氟聚酰亚胺 
一种设计无机介质材料介电性能的新方法
《硅酸盐通报》2001年第6期18-20,17,共4页李玲霞 吴霞宛 张志萍 王洪儒 
国家自然科学基金 (批准号 :5 9782 0 0 3)资助项目
选用低介电常数的无机介质材料ZnO -B2 O3-SiO2 三元系统 ,进行了XRD和介电性能定量关系的研究 ,系统的主、次晶相为SiO2 、Zn2 SiO4 相。调整各组分 ,获得了超低介电常数的介质陶瓷 ,其介电性能为 :ε≈ 5 ,tgδ≤ 5× 10 -4 ,αc≤ 0...
关键词:ZnO-B2O3-SiO2系统 超低介电常数 X-射线衍射分析 衍射峰强度 介电性能 功能陶瓷 无机介质材料 
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