超深亚微米

作品数：87被引量：168H指数：5
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微纳级双极晶体管的热耗散研究
《微纳电子技术》2006年第10期461-463,475,共4页侯志刚 李惠军 许新新 
对于双极性晶体管,由于自身存在的自加热现象,严重地影响着器件的特性。基于热电流方程、泊松方程及电流密度方程,在二维器件仿真环境下,进行了微纳级小尺寸npn双极性晶体管热现象的器件物理特性分析。重点研究了器件的集电极电流IC与...
关键词：超深亚微米 微纳级 双极性器件 热现象 集成电路 
超深亚微米工艺下模拟IC仿真的MOSFET模型被引量：2
《微纳电子技术》2006年第4期203-208,共6页段成华 柳美莲 
国家863计划项目(2002AA141041)
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型(BSIM3和EKV模型),对它们进行了比较,分析其各自的优点和缺点。结果表明获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的...
关键词：模拟IC MOSFET建模 BSIM3模型 EKV模型 反型系数 短沟道效应 中间反型区 
集成电路可制造性设计中器件参数的提取
《微纳电子技术》2005年第12期578-582,共5页霍林 郭琦 李惠军 
分别采用流体力学模型和漂移扩散模型对不同沟道长度的NMOSFET进行衬底电流的提取,并以NMOSFET沟道长度和LDD注入峰值综合对器件特性的影响为研究内容,介绍了集成电路可制造性设计中器件参数的优化与提取。
关键词：超大规模集成电路 超深亚微米 可制造性设计 半导体器件模拟 
超深亚微米层次互连特性及其布局布线优化(英文)
《微纳电子技术》2004年第12期45-49,共5页薛振华 李惠军 
随着集成电路特征尺寸进入超深亚微米层次,互连线开始成为制约系统功能和可靠性的决定性因素。本文介绍了布局布线中的几种优化步骤:拥挤驱动布局、局部布局和搜索提炼、轨道分配和搜索修补。并结合Synopsys公司的超深亚微米布局布线系...
关键词：超深亚微米 层次互连 布局布线 集成电路 
集成化NMOS核心工艺参数的Taurus Workbench优化
《微纳电子技术》2004年第9期44-48,共5页李惠军 侯国宪 赵国庆 
介绍了集成电路TCAD虚拟工厂系统Taurus Workbench,基于CMOS工艺的特点,在TaurusWorkbench环境下进行了深亚微米级n沟器件的核心参数优化。优化结果印证了新的工艺条件对器件特性的改善。
关键词：超大规模集成电路 超深亚微米 仿真 优化 
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