超深亚微米

作品数:87被引量:168H指数:5
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一种超深亚微米下IC光刻透射成像的快速算法
《微电子学与计算机》2006年第7期137-139,共3页付萍 
自然科学基金项目(60176015)
光学邻近效应校正(OPC)是下一代集成电路设计和生产的重要工具。但是在OPC中,为了寻找合适的掩模补偿图形,必须迭代计算大量的空间稀疏分布的试探点成像。在这里提出了一种基于卷积核的快速稀疏空间光强的光刻仿真计算方法。一个双线性...
关键词:超深亚微米 光刻 光学邻近效应 主波 卷积核 
超深亚微米无负载四管与六管SRAMSNM的对比研究被引量:3
《微电子学与计算机》2006年第4期122-127,129,共7页屠睿 刘丽蓓 李晴 邵丙铣 
采用基于物理的α指数MOSFET模型与低功耗传输域MOSFET模型,推导了新的超深亚微米无负载四管与六管SRAM存储单元静态噪声容限的解析模型,对比分析了由沟道掺杂原子本征涨落引起的相邻MOSFET的阈值电压失配对无负载四管和六管SRAM单元静...
关键词:SRAM单元稳定性 静态噪声容限 阈值电压失配 
基于硅虚拟原型的RISC CPU核物理设计被引量:3
《微电子学与计算机》2005年第3期162-165,169,共5页吴伟贤 周剑扬 许伟坚 陈辉煌 
武器装备预研基金(GF200201);福建省自然科学基金资助(F0110009)
在物理设计前期芯片物理信息供不应求的瓶颈制约着超深亚微米系统芯片设计时序、功率、信号完整性收敛及物理层次化设计方法的有效应用,硅虚拟原型在芯片物理设计流程中的应用有效地解决了这些问题。文章介绍了一个基于SVP的32位RISC CP...
关键词:超深亚微米 物理设计 硅虚拟原型 分层设计方法 规划布局 布局布线 
集成化N沟MOS核心参数的Taurus Workbench优化
《微电子学与计算机》2004年第6期206-208,共3页侯国宪 李惠军 赵国庆 
首先介绍了集成电路TCAD虚拟工厂系统TaurusWorkbench,基于CMOS工艺的特点,在TaurusWorkbench环境下进行了深亚微米级N沟器件的核心参数优化,优化结果印证了新的工艺条件对器件特性的改善。
关键词:超大规模集成电路 超深亚微米 阈值电压 仿真 优化 
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