磁性半导体

作品数：105被引量：76H指数：3
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非简并p型Hg_(1-x)Mn_xTe单晶(x>0.17)的负磁电阻机理研究被引量：1
《物理学报》2012年第8期407-415,共9页朱亮清 林铁 郭少令 褚君浩 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB924902);国家自然科学基金(批准号:60821092)资助的课题~~
研究磁性半导体中负磁电阻产生机理对正确理解载流子与磁性离子间的sp-d磁交换作用是非常重要的.通过变温(10—300 K)磁输运和变温(5—300 K)磁化率实验研究了一系列不同Mn含量非简并p型Hg_(1-x)Mn_xTe单晶(x>0.17)的负磁电阻和顺磁增...
关键词：磁性半导体 负磁电阻 顺磁增强 自旋分裂 
浓磁半导体材料的制备、磁性和自旋极化的输运被引量：3
《山东大学学报（理学版）》2011年第10期81-85,共5页颜世申 梅良模 陈延学 刘国磊 宋红强 张云鹏 田玉峰 乔瑞敏 
国家重点基础研究发展计划项目(2007CB924903);国家自然科学面上基金资助项目(10974120);山东省杰出青年基金资助项目(JQ200901)
成功制备出过渡金属元素含量高的Zn1-xCoxO、Ti1-xCoxO2、(In1-xCox)2O3铁磁半导体(浓磁半导),发现这些氧化物浓磁半导体具有高于室温的居里温度、高自旋极化率、巨磁光克尔效应等优良材料特性。还对浓磁半导的输运性质进行了系统的实...
关键词：磁性半导体 铁磁性 自旋极化的输运 
氧分压对Zn1-xCoxO1-δ磁性半导体磁特性的调控作用
《金属学报》2008年第11期1399-1403,共5页季刚 张云鹏 颜世申 梅良模 张泽 
国家重点基础研究发展计划资助项目2007CB924903~~
利用电子显微分析技术对高Co含量的室温铁磁性半导体Zn_(1-x)Co_xO_(1-δ)进行了微观表征.证明了氧含量是决定Zn_(1-x)Co_xO_(1-δ)薄膜微观结构和磁性能的重要因素.在缺氧环境下,薄膜由含有大量氧缺位的纤锌矿结构的Zn_(1-x)Co_xO_(1-...
关键词：室温铁磁性半导体 氧分压 氧缺位 调控 
多晶Si_(0.9654)Mn_(0.0346):B薄膜的磁性研究
《物理学报》2008年第11期7262-7266,共5页刘兴翀 陆智海 路忠林 张凤鸣 都有为 
国家重点基础研究发展计划(973)项目资助的课题~~
利用磁控溅射和快速热处理的方法制备了Mn,B共掺的多晶硅薄膜(Si0.9654Mn0.0346:B).磁性和结构研究发现薄膜有两个铁磁相.低温铁磁相来源于杂相Mn4Si7,高温铁磁相(居里温度TC^250 K)是由Mn原子掺杂进入Si晶格导致.晶化后的薄膜利用射频...
关键词：磁性半导体 硅 氢化 
低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜被引量：2
《功能材料》2004年第4期429-431,共3页刘力锋 陈诺夫 张富强 陈晨龙 李艳丽 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金资助项目(60176001);国家重大基础研究计划资助项目(G20000365和G2002CB311905)
　利用质量分离的低能离子束技术,获得了磁性Fe Si合金薄膜。利用俄歇电子能谱法(AES)、X射线衍射法(XRD)以及交变梯度样品磁强计(AGM)测试了样品的组分、结构以及磁特性。测试结果表明在室温下制备的Fe Si合金是Fe组分渐变的非晶薄膜,...
关键词：低能离子束 硅 铁磁性 磁性半导体 
磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究被引量：1
《真空科学与技术学报》2004年第2期154-156,共3页刘志凯 周剑平 柴春林 杨少延 宋书林 李艳丽 陈诺夫 
国家 973资助项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65 ;G2 0 0 2CB3 190 5 );国家自然科学基金委员会资助项目 (批准号 :60 1760 0 1;60 2 0 60 0 7;60 3 90 0 72 )
采用离子束技术 ,在n型硅基片上注入稀土元素钆 ,制备了磁性 /非磁性p n结。本文中使用的XPS对制备的样品进行测试 ,利用Origin 7 0提供的PFM工具进行研究 ,O1s束缚能介于金属氧化物和SiO2 中O1s的束缚能之间 ,Si2p的XPS谱分裂为两个峰 ...
关键词：磁性半导体 GdxSi1-x XPS 离子束技术 非磁性p-n结 束缚能 无定形结构 x射线 光电子频谱 离子注入 硅化钆 
室温铁磁性GaN:Cr薄膜的性质研究
《功能材料》2004年第z1期1212-1214,1218,共4页刘志凯 宋书林 陈诺夫 尹志岗 柴春林 杨少延 
国家自然科学基金资助项目(60176001);国家重大基础研究计划项目资助(G20000365和G2002CB311905)
采用高能离子注入的方式,在GaN衬底中掺杂引入Cr离子制备了磁性半导体.借助于X射线衍射仪(XRD)进行了注入前后结构的对比分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(0002)峰的微小变化.根据原...
关键词：氮化镓 磁性半导体 铁磁性转变温度 
掺铁氧化锌室温磁性半导体被引量：2
《功能材料》2004年第z1期1180-1181,1185,共3页文剑锋 刘兴种 曾毅 高俊 张凤鸣 都有为 
国家重点基础研究发展规划项目(G1999064508)
采用溶胶-凝胶法制备了Zn0.98Fe0.02O块材样品,利用XRD检测了样品的结构.结果表明样品具有ZnO的六角结构,并且只有ZnO的衍射峰出现,没有Fe或Fe的化合物等杂相存在,说明样品只包含单相ZnO.结果还进一步说明掺杂的部分Fe替代了部分Zn的位...
关键词：溶胶-凝胶法 氧化锌 磁性半导体 
离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究被引量：2
《功能材料》2004年第z1期1308-1310,共3页宋书林 陈诺夫 尹志岗 柴春林 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金资助项目(60176001);国家重大基础研究计划资助项目(G20000365和G2002CB311905)
采用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体.借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(004)峰的微小变化.根据原子力...
关键词：半绝缘性砷化镓 磁性半导体 铁磁性转变温度 
电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布被引量：2
《科学通报》2002年第17期1299-1301,共3页张秀兰 张富强 宋书林 陈诺夫 王占国 胡文瑞 林兰英 
本工作为科学技术部攀登预研(批准号:PAN95-YU-34);国家重大基础研究计划(批准号:G20000683;G20000365);国家自然科学基金(批准号:60176001)资助项目.
采用电化学C-V方法和Tiron电解液研究了GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度的纵向分布,所得结果与Hall测量结果和X射线衍射分析结果一致。研究结果表明GaMnSb单晶中的Mn原子替代了GaSb中部分Ga原子的位置,并在GaSb中形成了浅受主能级。
关键词：电化学C-V法 GaMnSb/GaSb单晶 载流子浓度 纵向分布 磁性半导体 稀磁半导体 闪锌矿结构 
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